Nexperia expande sua gama de soluções FET discretas

Atualização: 1 de março de 2024 Tags:elicltmosfetPCBretransmissão

1º de março de 2024 – A Nexperia lançou recentemente vários novos MOSFETs para ampliar ainda mais sua gama de soluções de comutação discreta para uma variedade de aplicações em vários mercados finais. Esta versão inclui MOSFETs específicos de aplicação (ASFETs) de 100 V para PoE, eFuse e substituição de relé em embalagens DFN60 2020% menores e MOSFETs NextPowerS40 de 3 V com desempenho aprimorado de compatibilidade eletromagnética (EMC).

Os switches PoE normalmente têm até 48 portas, cada uma exigindo 2 MOSFETs para proteção. Com até 96 MOSFETs em uma única PCB, qualquer redução no espaço ocupado pelo dispositivo é atraente. Por esse motivo, a Nexperia lançou ASFETs PoE de 100 V em embalagens DFN2 de 2 mm x 2020 mm que ocupam 60% menos espaço que as versões anteriores em embalagens LFPAK33. Uma função crítica desses dispositivos é proteger as portas PoE, limitando as correntes de inrush e gerenciando com segurança as condições de falha. Para gerenciar esse cenário, a Nexperia melhorou a área operacional segura (SOA) desses dispositivos em até 3x, com apenas um aumento mínimo no RDS(on). Esses ASFETs também são adequados para gerenciamento de bateria, Wi-Fi hotspot, picocélula 5G e aplicações CCTV e podem servir como substitutos para relés mecânicos em termostatos inteligentes, por exemplo.

Problemas relacionados com EMC causados ​​por MOSFET a mudança geralmente só surge no final do ciclo de vida de desenvolvimento do produto e sua resolução pode incorrer em custos adicionais de P&D e atrasar o lançamento no mercado. As soluções típicas incluem o uso de MOSFETs significativamente mais caros com RDS(on) mais baixo (para desacelerar a comutação e absorver o toque de tensão excessivo) ou para instalar um circuito amortecedor capacitivo externo, mas esta abordagem tem a desvantagem de aumentar a contagem de componentes. A Nexperia otimizou seus MOSFETs NextPowerS40 de 3 V para oferecer desempenho EMC semelhante ao que pode ser alcançado usando um circuito amortecedor externo, ao mesmo tempo que oferece maior eficiência. Esses MOSFETs são adequados para uso em conversores de comutação e controladores de motor em diversas aplicações e estão disponíveis em embalagens LFPAK56.

“Ao apresentar essas últimas adições à nossa gama de soluções FET discretas na APEC 2024, a Nexperia mostra como aproveitamos nossa experiência em P&D para fornecer soluções otimizadas. Tanto nossos novos ASFETs PoE de 100 V quanto o desempenho EMC aprimorado em nossos MOSFETs NextPowerS40 de 3 V demonstram nosso compromisso em apoiar engenheiros na superação de desafios em diversas aplicações. Essas inovações ressaltam a dedicação da Nexperia em fornecer soluções eficientes, compactas e confiáveis ​​que capacitam nossos clientes a terem sucesso no mercado em constante evolução de hoje”, afirma Chris Boyce, Diretor do Grupo de Produto e Marketing MOSFET da Nexperia.

Para saber mais sobre os ASFETs PoE da Nexperia, visite: https://www.nexperia.com/asfets-for-poe.

Para saber mais sobre os MOSFETs NextPowerS3 da Nexperia, visite: https://www.nexperia.com/nextpowers3.