Nexperia mengembangkan rangkaian penyelesaian FET diskretnya

Kemas kini: 1 Mac 2024 Tags:elicltmosfetPCBgeganti

1 Mac 2024 — Nexperia baru-baru ini telah mengeluarkan beberapa MOSFET baharu untuk meluaskan lagi rangkaian penyelesaian pensuisan diskretnya untuk pelbagai aplikasi merentas berbilang pasaran akhir. Keluaran ini termasuk MOSFET (ASFET) khusus aplikasi 100 V untuk penggantian PoE, eFuse dan geganti dalam pembungkusan DFN60 2020% lebih kecil dan MOSFET 40 V NextPowerS3 dengan prestasi keserasian elektromagnet (EMC) yang dipertingkatkan.

Suis PoE biasanya mempunyai sehingga 48 port, setiap satu memerlukan 2 MOSFET untuk perlindungan. Dengan sehingga 96 MOSFET pada satu PCB, sebarang pengurangan dalam jejak peranti adalah menarik. Atas sebab ini, Nexperia telah mengeluarkan 100 V PoE ASFET dalam pembungkusan DFN2 2 mm x 2020 mm yang menduduki 60% kurang ruang daripada versi sebelumnya dalam pembungkusan LFPAK33. Fungsi kritikal peranti ini adalah untuk melindungi port PoE dengan mengehadkan arus masuk sambil menguruskan keadaan kerosakan dengan selamat. Untuk mengurus senario ini, Nexperia telah meningkatkan kawasan operasi selamat (SOA) peranti ini sehingga 3x dengan hanya peningkatan minimum dalam RDS(on). ASFET ini juga sesuai untuk pengurusan bateri, Wi-Fi hotspot, picocell 5G dan aplikasi CCTV dan boleh berfungsi sebagai pengganti untuk geganti mekanikal dalam termostat pintar, contohnya.

Isu berkaitan EMC yang disebabkan oleh MOSFET penukaran biasanya hanya muncul lewat dalam kitaran hayat pembangunan produk dan menyelesaikannya boleh menyebabkan kos R&D tambahan dan menangguhkan keluaran pasaran. Penyelesaian biasa termasuk menggunakan MOSFET yang jauh lebih mahal dengan RDS(on) yang lebih rendah (untuk memperlahankan pensuisan dan menyerap deringan voltan yang berlebihan) atau untuk memuatkan litar snubber kapasitif luaran tetapi pendekatan ini mempunyai kelemahan dalam meningkatkan kiraan komponen. Nexperia telah mengoptimumkan MOSFET 40 V NextPowerS3 untuk menawarkan prestasi EMC yang sama seperti yang boleh dicapai menggunakan litar snubber luaran, sambil turut menawarkan kecekapan yang lebih tinggi. MOSFET ini sesuai untuk digunakan dalam menukar penukar dan pengawal motor merentasi pelbagai aplikasi dan boleh didapati dalam pembungkusan LFPAK56.

“Dengan memperkenalkan tambahan terbaru ini kepada rangkaian penyelesaian FET diskret kami di APEC 2024, Nexperia mempamerkan cara kami memanfaatkan kepakaran kami dalam R&D untuk menyampaikan penyelesaian yang dioptimumkan. Kedua-dua ASFET 100 V PoE baharu kami serta prestasi EMC yang dipertingkatkan dalam MOSFET 40 V NextPowerS3 kami menunjukkan komitmen kami untuk menyokong jurutera dalam mengatasi cabaran merentasi pelbagai aplikasi. Inovasi ini menekankan dedikasi Nexperia untuk menyediakan penyelesaian yang cekap, padat dan boleh dipercayai yang memperkasakan pelanggan kami untuk berjaya dalam pasaran yang sentiasa berkembang hari ini,” kata Chris Boyce, Pengarah Kumpulan Produk & Pemasaran MOSFET di Nexperia.

Untuk mengetahui lebih lanjut mengenai ASFET PoE Nexperia, lawati: https://www.nexperia.com/asfets-for-poe.

Untuk mengetahui lebih lanjut mengenai MOSFET NextPowerS3 Nexperia, lawati: https://www.nexperia.com/nextpowers3.