Nexperia amplía su gama de soluciones FET discretas

Actualización: 1 de marzo de 2024 Tags:elicltmosfetpcbrelé

1 de marzo de 2024: Nexperia lanzó recientemente varios MOSFET nuevos para ampliar aún más su gama de soluciones de conmutación discreta para una variedad de aplicaciones en múltiples mercados finales. Esta versión incluye MOSFET (ASFET) de aplicaciones específicas de 100 V para PoE, eFuse y reemplazo de relés en un paquete DFN60 un 2020 % más pequeño, y MOSFET NextPowerS40 de 3 V con rendimiento de compatibilidad electromagnética (EMC) mejorado.

Los conmutadores PoE suelen tener hasta 48 puertos y cada uno requiere 2 MOSFET para protección. Con hasta 96 MOSFET en una sola PCB, cualquier reducción en el tamaño del dispositivo es atractiva. Por esta razón, Nexperia ha lanzado ASFET PoE de 100 V en empaque DFN2 de 2 mm x 2020 mm que ocupa un 60% menos de espacio que las versiones anteriores en empaque LFPAK33. Una función crítica de estos dispositivos es proteger los puertos PoE limitando las corrientes de irrupción y al mismo tiempo gestionar de forma segura las condiciones de falla. Para gestionar este escenario, Nexperia ha mejorado el área operativa segura (SOA) de estos dispositivos hasta 3 veces con solo un aumento mínimo en RDS (activado). Estos ASFET también son adecuados para la gestión de baterías, Wi-Fi aplicaciones de punto de acceso, picocelda 5G y CCTV y pueden servir como reemplazo de relés mecánicos en termostatos inteligentes, por ejemplo.

Problemas relacionados con EMC causados ​​por MOSFET Los cambios generalmente solo surgen en una etapa avanzada del ciclo de vida del desarrollo del producto y resolverlos puede generar costos adicionales de I+D y retrasar el lanzamiento al mercado. Las soluciones típicas incluyen el uso de MOSFET significativamente más caros con un RDS (encendido) más bajo (para ralentizar la conmutación y absorber el timbre de voltaje excesivo) o instalar un circuito amortiguador capacitivo externo, pero este enfoque tiene la desventaja de aumentar el número de componentes. Nexperia ha optimizado sus MOSFET NextPowerS40 de 3 V para ofrecer un rendimiento EMC similar al que se puede lograr utilizando un circuito amortiguador externo, al mismo tiempo que ofrece una mayor eficiencia. Estos MOSFET son adecuados para su uso en convertidores de conmutación y controladores de motores en diversas aplicaciones y están disponibles en empaques LFPAK56.

“Al presentar estas últimas incorporaciones a nuestra gama de soluciones FET discretas en APEC 2024, Nexperia muestra cómo aprovechamos nuestra experiencia en I+D para ofrecer soluciones optimizadas. Tanto nuestros nuevos ASFET PoE de 100 V como el rendimiento EMC mejorado en nuestros MOSFET NextPowerS40 de 3 V demuestran nuestro compromiso de ayudar a los ingenieros a superar los desafíos en diversas aplicaciones. Estas innovaciones subrayan la dedicación de Nexperia para brindar soluciones eficientes, compactas y confiables que permitan a nuestros clientes tener éxito en el mercado actual en constante evolución”, dice Chris Boyce, director del grupo de productos y marketing MOSFET de Nexperia.

Para obtener más información sobre los ASFET PoE de Nexperia, visite: https://www.nexperia.com/asfets-for-poe.

Para obtener más información sobre los MOSFET NextPowerS3 de Nexperia, visite: https://www.nexperia.com/nextpowers3.