1er mars 2024 — Nexperia a récemment lancé plusieurs nouveaux MOSFET afin d'élargir davantage sa gamme de solutions de commutation discrète pour une variété d'applications sur plusieurs marchés finaux. Cette version comprend des MOSFET (ASFET) spécifiques à une application de 100 V pour le remplacement du PoE, des eFuse et des relais dans un boîtier DFN60 2020 % plus petit, ainsi que des MOSFET NextPowerS40 de 3 V avec des performances de compatibilité électromagnétique (CEM) améliorées.
Les commutateurs PoE comportent généralement jusqu'à 48 ports, chacun nécessitant 2 MOSFET pour la protection. Avec jusqu'à 96 MOSFET sur un seul PCB, toute réduction de l'encombrement du dispositif est intéressante. Pour cette raison, Nexperia a lancé des ASFET PoE 100 V dans un boîtier DFN2 de 2 mm x 2020 mm qui occupe 60 % d'espace en moins que les versions précédentes dans un boîtier LFPAK33. Une fonction essentielle de ces appareils est de protéger les ports PoE en limitant les courants d'appel tout en gérant en toute sécurité les conditions de panne. Pour gérer ce scénario, Nexperia a multiplié par 3 la zone de fonctionnement sécurisé (SOA) de ces appareils avec seulement une augmentation minime du RDS(on). Ces ASFET conviennent également à la gestion des batteries, Wi-Fi les applications de hotspot, de picocellule 5G et de vidéosurveillance et peuvent remplacer les relais mécaniques dans les thermostats intelligents, par exemple.
Problèmes liés à la CEM causés par MOSFET les changements n’apparaissent généralement que tard dans le cycle de vie du développement du produit et leur résolution peut entraîner des coûts de R&D supplémentaires et retarder la mise sur le marché. Les solutions typiques incluent l'utilisation de MOSFET beaucoup plus coûteux avec un RDS(on) inférieur (pour ralentir la commutation et absorber une sonnerie de tension excessive) ou l'installation d'un circuit d'amortissement capacitif externe, mais cette approche présente l'inconvénient d'augmenter le nombre de composants. Nexperia a optimisé ses MOSFET NextPowerS40 3 V pour offrir des performances CEM similaires à celles pouvant être obtenues à l'aide d'un circuit d'amortissement externe, tout en offrant également un rendement plus élevé. Ces MOSFET conviennent à une utilisation dans les convertisseurs de commutation et les contrôleurs de moteur dans diverses applications et sont disponibles dans un emballage LFPAK56.
« En présentant ces derniers ajouts à notre gamme de solutions FET discrètes à l'APEC 2024, Nexperia montre comment nous exploitons notre expertise en R&D pour fournir des solutions optimisées. Nos nouveaux ASFET PoE 100 V ainsi que les performances CEM améliorées de nos MOSFET NextPowerS40 3 V démontrent notre engagement à aider les ingénieurs à surmonter les défis dans diverses applications. Ces innovations soulignent l'engagement de Nexperia à fournir des solutions efficaces, compactes et fiables qui permettent à nos clients de réussir sur le marché en constante évolution d'aujourd'hui », déclare Chris Boyce, directeur du marketing et du groupe de produits MOSFET chez Nexperia.
Pour en savoir plus sur les ASFET PoE de Nexperia, visitez : https://www.nexperia.com/asfets-for-poe.
Pour en savoir plus sur les MOSFET NextPowerS3 de Nexperia, visitez : https://www.nexperia.com/nextpowers3.