Auf NTD6600N-1G auf Lager

#NTD6600N-1G Auf NTD6600N-1G Neu NTD6600N-1G 12A, 100V, 0.146 Ohm, N-KANAL, Si, POWER, MOSFET, BLEIFREI, GEHÄUSE 369D-01, DPAK-3; NTD6600N-1G, NTD6600N-1G Bilder, NTD6600N-1G Preis, #NTD6600N-1G Lieferant
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Hersteller-Teilenummer: NTD6600N-1G
Rohs Code: Ja
Teilelebenszykluscode: Veraltet
Ihs Hersteller: ON Halbleiter
Paketbeschreibung: BLEIFREI, GEHÄUSE 369D-01, DPAK-3
Pin-Anzahl: 3
Hersteller-Paketcode: CASE 369D-01
ECCN-Code: EAR99
Hersteller: ON Halbleiter
Risikorang: 5.29
Lawinenenergie-Bewertung (Eas): 72 mJ
Gehäuseanschluss: DRAIN
Konfiguration: EINZELN MIT EINGEBAUTER DIODE
DS-Aufschlüsselung Spannung-Min: 100 V.
Drainstrom-Max (ID): 12 A
Drain-Quelle Ein Widerstand-Max: 0.146 Ω
FET Technologie: METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: R-PSIP-T3
JESD-609-Code: e3
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 3
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: RECHTECKIG
Verpackungsstil: IN-LINE
Reflow-Spitzentemperatur (Cel): 260
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 44 A
Qualifikationsstatus: Nicht qualifiziert
Aufputz: NR
Terminal Finish: Matte Dose (Sn)
Anschlussform: DURCHLÖCHER
Anschlussposition: EINZELN
Uhrzeit
12A, 100V, 0.146 Ohm, N-KANAL, Si, LEISTUNG, MOSFET, BLEIFREI, GEHÄUSE 369D-01, DPAK-3