En NTD6600N-1G Disponible

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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

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Número de parte del fabricante: NTD6600N-1G
Código Rohs: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: obsoleto
Fabricante de IHS: ON semiconductor
Descripción del paquete: SIN PLOMO, CASO 369D-01, DPAK-3
Recuento de pines: 3
Código del paquete del fabricante: CASE 369D-01
Código ECCN: EAR99
Fabricante: ON Semiconductores
Rango de riesgo: 5.29
Clasificación energética de avalancha (Eas): 72 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 100 V
Corriente de drenaje máxima (ID): 12 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.146 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JESD-30: R-PSIP-T3
Código JESD-609: e3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: EN LÍNEA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): 260
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 44 A
Estado de calificación: no calificado
Montaje en superficie: NO
Acabado terminal: estaño mate (Sn)
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
12A, 100V, 0.146ohm, N-CANAL, Si, POTENCIA, MOSFET, SIN PLOMO, CASO 369D-01, DPAK-3