Pada NTD6600N-1G Dalam Stok

#NTD6600N-1G Pada NTD6600N-1G Baharu NTD6600N-1G 12A, 100V, 0.146ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, BEBAS PLUMBUM, KES 369D-01, DPAK-3; NTD6600N-1G , gambar NTD6600N-1G, harga NTD6600N-1G, pembekal #NTD6600N-1G
-----------------------
E-mel: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/ntd6600n-1g.html

-----------------------

Nombor Bahagian Pengilang: NTD6600N-1G
Kod Rohs: Ya
Kod Kitaran Separuh Hayat: Usang
Pengilang IHs: ON semikonduktor
Perihalan Pakej: BEBAS PLUMBUM, KES 369D-01, DPAK-3
Pin Pin: 3
Kod Pakej Pengeluar: CASE 369D-01
Kod ECCN: EAR99
Pengilang: ON Semikonduktor
Peringkat Risiko: 5.29
Penarafan Tenaga Avalanche (Eas): 72 mJ
Sambungan Kes: DRAIN
Konfigurasi: TINGGAL DENGAN DIODE BUILT-IN
Pecahan DS voltan-Min: 100 V
Saliran Arus-Maksimum (ID): 12 A
Saliran-Sumber Pada Rintangan-Maks: 0.146 Ω
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA Semikonduktor
Kod JESD-30: R-PSIP-T3
Kod JESD-609: e3
Bilangan Unsur: 1
Bilangan Terminal: 3
Mod Pengoperasian: MOD PENINGKATAN
Bahan Badan Pakej: PLASTIK / EPOXY
Bentuk Pakej: RECTANGULAR
Gaya Pakej: IN-LINE
Suhu Aliran Puncak (Cel): 260
Polariti / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Arus Saluran Pulsed-Max (IDM): 44 A
Status Kelayakan: Tidak Berkelayakan
Lekapan Permukaan: NO
Kemasan Terminal: Timah Matte (Sn)
Borang Terminal: MELALUI HOLE
Kedudukan Terminal: TINGGAL
Masa
12A, 100V, 0.146ohm, N-CHANNEL, Si, KUASA, MOSFET, BEBAS PLUMBUM, KES 369D-01, DPAK-3