NTD6600N-1G 재고 있음

업데이트: 15년 2023월 XNUMX일 태그 :ictechnology

NTD6600N-1G

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이메일 : sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/ntd6600n-1g.html

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제조업체 부품 번호: NTD6600N-1G
Rohs 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 폐기 됨
IHS 제조업체 : ON 반도체
패키지 설명: 무연, CASE 369D-01, DPAK-3
Pin Count : 3
제조업체 패키지 코드: CASE 369D-01
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : ON 반도체
위험 순위 : 5.29
눈사태 에너지 등급 (Eas) : 72mJ
케이스 연결 : 배수
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 100V
최대 드레인 전류 (ID) : 12A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.146 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PSIP-T3
JESD-609 코드 : e3
요소 수 : 1
터미널 수 : 3
작동 모드 : 향상 모드
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 인라인
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 44A
자격 상태 : 자격 없음
표면 실장 : NO
단자 마감 : 무광 주석 (Sn)
터미널 형태 : THROUGH-HOLE
터미널 위치 : 단일
Time
12A, 100V, 0.146ohm, N-채널, Si, 전원, MOSFET, 무연, 케이스 369D-01, DPAK-3
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