Sur NTD6600N-1G en stock

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Courriel: sales@shunlongwei.com

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Numéro de pièce du fabricant : NTD6600N-1G
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant : ON semi-conducteur
Description de l'emballage : SANS PLOMB, CAS 369D-01, DPAK-3
Nombre de broches: 3
Code d'emballage du fabricant : CAS 369D-01
Code ECCN: EAR99
Fabricant: ON Semi-conducteurs
Classement de risque: 5.29
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 72 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 100 V
Courant de drain-Max (ID): 12 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.146 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-PSIP-T3
Code JESD-609: e3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: EN LIGNE
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 44 A
Statut de qualification: non qualifié
Montage en surface: NON
Finition du terminal: étain mat (Sn)
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
12A, 100V, 0.146ohm, N-CHANNEL, Si, PUISSANCE, MOSFET, SANS PLOMB, CAISSE 369D-01, DPAK-3