Dürfen. 10. 2023 /SemiMedia/ — onsemi stellte kürzlich seine neueste Generation von 1200-V-EliteSiC-M3S-Geräten aus Siliziumkarbid (SiC) vor, die es Entwicklern von Leistungselektronik ermöglichen, die beste Effizienz ihrer Klasse zu erzielen und die Systemkosten zu senken. Das neue Portfolio umfasst EliteSiC MOSFETs und Module die höhere Schaltgeschwindigkeiten ermöglichen, um die wachsende Zahl von 800-V-Elektrofahrzeugen (EV) zu unterstützen. On-Board-Ladegerät (OBC) und Energieinfrastrukturanwendungen, sowie EV aufladen, Solar- und Energiespeichersysteme.
Zum Portfolio gehören auch neue EliteSiC M3S-Geräte in leistungsintegrierten Halbbrückenmodulen (PIMs) mit branchenweit niedrigsten Rds(on)-Werten in einem Standard-F2-Gehäuse. Die Module sind auf industrielle Anwendungen ausgerichtet und eignen sich ideal für DC-AC-, AC-DC- und DC-DC-Hochleistungsumwandlungsstufen. Sie bieten ein höheres Maß an Integration mit optimierten Direct-Bonding-Kupferdesigns, um eine ausgewogene Stromverteilung und Wärmeverteilung zwischen parallelen Schaltern zu ermöglichen. Die PIMs sind darauf ausgelegt, eine hohe Leistungsdichte in der Energieinfrastruktur, beim DC-Schnellladen von Elektrofahrzeugen und in unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) bereitzustellen.
„Die neueste Generation der EliteSiC M3S-Produkte für den Automobil- und Industriebereich von onsemi wird es Entwicklern ermöglichen, den Platzbedarf ihrer Anwendung und die Anforderungen an die Systemkühlung zu reduzieren“, sagte Asif Jakwani, Senior Vice President und General Manager der Advanced Power Division von onsemi. „Dies hilft Entwicklern bei der Entwicklung von Hochleistungswandlern mit höherem Wirkungsgrad und erhöhter Leistungsdichte.“
Der für die Automobilindustrie zugelassene 1200-V-EliteSiC Mosfets sind auf Hochleistungs-OBCs bis 22 kW und höher zugeschnitten Spannung zu Niederspannungs-DC-DC-Wandlern. M3S Technologie wurde speziell für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entwickelt und weist die besten Gütewerte seiner Klasse bei Schaltverlusten auf.
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