Kunnen. 10, 2023 /Semimedia/ — onssemi heeft onlangs zijn nieuwste generatie 1200 V EliteSiC siliciumcarbide (SiC) M3S-apparaten geïntroduceerd, waarmee ontwerpers van vermogenselektronica de beste efficiëntie en lagere systeemkosten kunnen bereiken. De nieuwe portefeuille omvat EliteSiC MOSFET's en modules die hogere schakelsnelheden mogelijk maken om het groeiende aantal 800 V elektrische voertuigen (EV) te ondersteunen boordlader (OBC) en toepassingen voor energie-infrastructuur, zoals EV opladen, zonne- en energieopslagsystemen.
Ook onderdeel van het portfolio zijn nieuwe EliteSiC M3S-apparaten in half-bridge power integrated modules (PIM's) met toonaangevende laagste Rds(on) in een standaard F2-pakket. Gericht op industriële toepassingen, zijn de modules bij uitstek geschikt voor DC-AC, AC-DC en DC-DC conversietrappen met hoog vermogen. Ze bieden hogere niveaus van integratie met geoptimaliseerde direct gebonden koperontwerpen om een gebalanceerde stroomverdeling en thermische distributie tussen parallelle schakelaars mogelijk te maken. De PIM's zijn ontworpen om een hoge vermogensdichtheid te leveren in energie-infrastructuur, EV DC snelladen en ononderbroken voedingen (UPS).
"Onsemi's nieuwste generatie EliteSiC M3S-producten voor de automobiel- en industriesector stelt ontwerpers in staat om hun toepassingsvoetafdruk en vereisten voor systeemkoeling te verminderen", zegt Asif Jakwani, senior vice president en general manager van de Advanced Power Division, onsemi. "Dit helpt ontwerpers om krachtige omvormers te ontwikkelen met hogere efficiëntieniveaus en hogere vermogensdichtheden."
De voor auto's gekwalificeerde 1200 V EliteSiC mosfets zijn op maat gemaakt voor boordcomputers met hoog vermogen tot 22 kW en hoog spanning naar laagspannings-DC-DC-converters. M3S technologie is speciaal ontwikkeld voor snelle schakeltoepassingen en heeft de beste prestaties in zijn klasse op het gebied van schakelverliezen.
Bekijk meer : IGBT-modules | LCD-schermen | Elektronische Componenten