Có thể. 10, 2023 /bán phương tiện/ — onsemi gần đây đã giới thiệu thiết bị M1200S 3 V EliteSiC silicon carbide (SiC) MXNUMXS thế hệ mới nhất của mình, cho phép các nhà thiết kế điện tử công suất đạt được hiệu quả tốt nhất trong phân khúc và giảm chi phí hệ thống. Danh mục đầu tư mới bao gồm MOSFET EliteSiC và mô-đun tạo điều kiện cho tốc độ chuyển đổi cao hơn để hỗ trợ số lượng ngày càng tăng của xe điện 800 V (EV) bộ sạc trên bo mạch (OBC) và ứng dụng cơ sở hạ tầng năng lượng, Chẳng hạn như Sạc EV, hệ mặt trời và hệ thống lưu trữ năng lượng.
Cũng là một phần của danh mục đầu tư, là các thiết bị EliteSiC M3S mới trong các mô-đun tích hợp nguồn nửa cầu (PIM) với Rds(on) thấp nhất trong ngành trong gói F2 tiêu chuẩn. Nhắm mục tiêu các ứng dụng công nghiệp, các mô-đun phù hợp lý tưởng cho các giai đoạn chuyển đổi công suất cao DC-AC, AC-DC và DC-DC. Chúng cung cấp mức độ tích hợp cao hơn với các thiết kế đồng liên kết trực tiếp được tối ưu hóa để cho phép chia sẻ dòng điện cân bằng và phân phối nhiệt giữa các công tắc song song. PIM được thiết kế để cung cấp mật độ năng lượng cao trong cơ sở hạ tầng năng lượng, sạc nhanh EV DC và nguồn cấp điện liên tục (UPS).
Asif Jakwani, phó chủ tịch cấp cao và tổng giám đốc của Advanced Power Division, onsemi cho biết: “Các sản phẩm EliteSiC M3S dành cho ô tô và công nghiệp thế hệ mới nhất của onsemi sẽ cho phép các nhà thiết kế giảm bớt dấu chân ứng dụng và các yêu cầu làm mát hệ thống của họ. “Điều này giúp các nhà thiết kế phát triển các bộ biến đổi năng lượng cao với mức độ hiệu quả cao hơn và tăng mật độ năng lượng.”
1200 V EliteSiC đủ điều kiện cho ô tô mosfet được thiết kế riêng cho các OBC công suất cao lên đến 22 kW và cao Vôn sang bộ chuyển đổi DC-DC điện áp thấp. M3S công nghệ đã được phát triển đặc biệt cho các ứng dụng chuyển mạch tốc độ cao và có thành tích tốt nhất trong việc chuyển đổi tổn thất.
Xem thêm : Mô-đun IGBT | Màn hình LCD | Linh kiện điện tử