Poderia. 10, 2023 /Semimídia/ — a onsemi apresentou recentemente sua última geração de dispositivos M1200S de carboneto de silício (SiC) EliteSiC de 3 V, que permitem que os projetistas de eletrônica de potência alcancem a melhor eficiência da categoria e reduzam os custos do sistema. O novo portfólio inclui MOSFET EliteSiC e módulos que facilitam velocidades de comutação mais altas para suportar o número crescente de veículos elétricos (EV) de 800 V carregador de bordo (OBC) e aplicações de infraestrutura de energia, como Carregamento EV, solar e sistemas de armazenamento de energia.
Também fazem parte do portfólio os novos dispositivos EliteSiC M3S em módulos integrados de energia (PIMs) de meia ponte com Rds(on) mais baixos líderes do setor em um pacote F2 padrão. Visando aplicações industriais, os módulos são ideais para estágios de conversão de alta potência DC-AC, AC-DC e DC-DC. Eles fornecem níveis mais altos de integração com projetos otimizados de cobre de ligação direta para permitir o compartilhamento de corrente balanceado e a distribuição térmica entre switches paralelos. Os PIMs são projetados para fornecer alta densidade de energia em infraestrutura de energia, carregamento rápido EV DC e fontes de alimentação ininterruptas (UPS).
“A última geração de produtos automotivos e industriais EliteSiC M3S da onsemi permitirá que os projetistas reduzam a pegada de suas aplicações e os requisitos de resfriamento do sistema”, disse Asif Jakwani, vice-presidente sênior e gerente geral da Divisão de Energia Avançada da onsemi. “Isso ajuda os projetistas a desenvolver conversores de alta potência com níveis mais altos de eficiência e maiores densidades de energia.”
O 1200 V EliteSiC qualificado para automóveis mosfet são adaptados para OBCs de alta potência de até 22 kW e alta Voltagem para conversores DC-DC de baixa tensão. M3S tecnologia foi desenvolvido especificamente para aplicações de comutação de alta velocidade e possui o melhor valor de mérito da categoria para perdas de comutação.
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