Kalendas lunii. XXII, 10 /SemiMedia/ - Onsemi recenter eius novissimam generationem 1200 V EliteSiC pii carbide (SiC) M3S excogitaverunt, quae efficiunt vim designatores electronicos ut efficiant optimas in-genus efficientiam et rationes inferiores. Novus portfolio includit EliteSiC MOSFETs et Modules quae faciliorem reddunt altiorem celeritates mutandi ad incrementum numerum DCCC V vehiculum electrica sustinendum (EV) on-tabula patina (OBC) et industria infrastructure applicationesSicut EV praecipiens, solis et industria repono systemata.
Pars portfolio etiam novas machinas EliteSiC M3S in media ponte potentiae modulorum integratorum (PIMs) cum industria ducentes infimae Rds(on) in involucro vexilli F2. Nisl applicationes industriales, moduli optime aptae sunt ad gradus conversionis DC-AC, AC-DC et DC-DC altae potentiae. Superiores gradus integrationis praebent cum consiliorum aeneis optimized directis connexis ut aequabilem current communicationem ac scelerisque distributionem inter virgas parallelas praebeant. PIMs ordinantur ad altam vim densitatis in industria infrastructuram liberandam, EV DC festinanter increpans et sine interruptibilis potentiae commeatus (UPS).
"Onsemi novissimam generationem automotivae et industriae EliteSiC M3S productorum designatores permittet reducere applicationem vestigium et ratio refrigerandi requisita", Asif Jakwani dixit, senior vicepraeses et procurator generalis Provectus Divisionis Power, onsemi. "Hoc adiuvat designatores ad explicandam virtutem convertentium altam cum altioribus gradibus efficientiae et densitatis potentiae auctae".
Automotivum idoneus 1200 V EliteSiC mosfets sunt formandam pro summus potentia OBCs usque ad XXII kW et excelsum voltage ad humilis intentione DC-DC converters. M3S Technology speciatim ad altum celeritatem applicationum mutandi evoluta est et optimam in genere meritorum figuram mutandi damna habet.
View more: IGBT modules | LCD propono | electronic lacinia