GaN Systems hat ein neues GaN-basiertes 11-kW/800-V-OBC-Referenzdesign herausgebracht, das eine 36 % höhere Leistungsdichte und bis zu 15 % niedrigere Stücklistenkosten als SiC-Transistoren bietet.
Die Verwendung von GaN-Transistoren in einem 800-V-OBC ist eine revolutionäre Innovation, die diese 11-kW/800-V-Lösung von der Konkurrenz abhebt. Der OBC verfügt über ein dreistufiges Flugsystem Kondensator Topologie für eine brückenlose Totem-Pole-PFC-Struktur und eine doppelte aktive Brücke im AC/DC- und DC-DC-Bereich, was eine hervorragende Leistungsdichte bzw. niedrigere Stücklistenkosten bietet. Die GaN-Transistoren in der Drei-Ebenen-Topologie mit außergewöhnlicher Schaltleistung senken die Transistor Spannung Belastung auf die Hälfte und ermöglichen die Verwendung des sparsamen 650-V-GaN in dieser und vielen anderen 800-V-Anwendungen.
GaN-Leistungshalbleiter verbessern die Effizienz des OBC, indem sie die Schaltverluste und die Verlustleistung während des gesamten Betriebs senken. Diese verbesserte Effizienz verringert Leistungsverluste während des Ladens von Elektrofahrzeugen, wodurch der OBC energieeffizienter und kostengünstiger wird. Beispielsweise verringert die höhere Effizienz der Lösung die Komplexität und die Kosten des Kühlsystemdesigns. Das kompakte und äußerst effiziente Design trägt dazu bei, die Gesamtgröße und das Gewicht des OBC zu reduzieren und Platz und Gewicht freizugeben, die anderen Bereichen des EV-Designs zugewiesen werden können.
„Das Referenzdesign für GaN-betriebene 800-V-Bordladegeräte ist ein großer Fortschritt, der die Einführung von GaN im Automobilsektor beschleunigen wird“, sagte Jim Witham, CEO von GaN Systems. „Unser neues, hochmodernes Design bietet außergewöhnliche Verbesserungen in Bezug auf Effizienz, Leistungsdichte, Kosten, Wärmeentwicklung und Reduzierung des CO2-Fußabdrucks, um unseren Automobilkunden eine bahnbrechende Lösung zu bieten.“