GaN Systems ha rilasciato un nuovo progetto di riferimento OBC da 11 kW/800 V basato su GaN che fornisce una densità di potenza superiore del 36% e un costo BOM inferiore fino al 15% rispetto ai transistor SiC.
L'utilizzo dei transistor GaN in un OBC da 800 V rappresenta un'innovazione rivoluzionaria che distingue questa soluzione da 11 kW/800 V dalla concorrenza. L'OBC incorpora un volo a tre livelli condensatore topologia per una struttura PFC totem-pole senza ponte e un doppio ponte attivo in AC/DC e DC-DC, che forniscono rispettivamente un'eccezionale densità di potenza e un costo BOM inferiore. I transistor GaN, nella topologia a tre livelli con prestazioni di commutazione eccezionali, abbassano la Transistor voltaggio stress alla metà e consentire l'utilizzo dell'economico GaN da 650 V in questa e molte altre applicazioni da 800 V.
I semiconduttori di potenza GaN migliorano l'efficienza dell'OBC riducendo le perdite di commutazione e la dissipazione di potenza durante il funzionamento. Questa maggiore efficienza riduce le perdite di potenza durante la ricarica dei veicoli elettrici, rendendo l'OBC più efficiente dal punto di vista energetico e conveniente. Ad esempio, la maggiore efficienza della soluzione riduce la complessità e il costo della progettazione del sistema di raffreddamento. Il design compatto ed estremamente efficiente aiuta a ridurre le dimensioni e il peso complessivi dell'OBC, liberando spazio e peso che possono essere assegnati ad altre aree del design EV.
"Il progetto di riferimento del caricatore di bordo da 800 V alimentato da GaN è un importante progresso che accelererà l'adozione di GaN nel settore automobilistico", ha affermato Jim Witham, CEO di GaN Systems. "Il nostro nuovo design all'avanguardia offre straordinari guadagni in termini di efficienza, densità di potenza, costi, termiche e riduzione dell'impronta di CO2 per fornire una soluzione rivoluzionaria per i nostri clienti automobilistici".