GaN Systems ha lanzado un nuevo diseño de referencia OBC de 11kW/800V basado en GaN que proporciona un 36 % más de densidad de potencia y hasta un 15 % menos de costo de BOM que los transistores de SiC.
El uso de transistores GaN en un OBC de 800 V es una innovación revolucionaria que distingue a esta solución de 11 kW/800 V de la competencia. La OBC incorpora un sistema de vuelo de tres niveles condensador topología para una estructura PFC de tótem sin puente y un puente activo dual en CA/CC y CC-CC, lo que proporciona una densidad de potencia excepcional y un menor costo de lista de materiales, respectivamente. Los transistores GaN, en topología de tres niveles con un rendimiento de conmutación excepcional, reducen la Transistor voltaje reducir el estrés a la mitad y permitir que el GaN económico de 650 V se utilice en esta y muchas otras aplicaciones de 800 V.
Los semiconductores de potencia GaN mejoran la eficiencia del OBC al reducir las pérdidas de conmutación y la disipación de potencia durante la operación. Esta eficiencia mejorada reduce las pérdidas de energía durante la carga de vehículos eléctricos, lo que hace que el OBC sea más eficiente desde el punto de vista energético y rentable. Por ejemplo, la mayor eficiencia de la solución reduce la complejidad y el costo del diseño del sistema de enfriamiento. El diseño compacto y extremadamente eficiente ayuda a reducir el tamaño y el peso total del OBC, liberando espacio y peso que pueden asignarse a otras áreas del diseño del vehículo eléctrico.
“El diseño de referencia del cargador integrado de 800 V alimentado por GaN es un gran avance que acelerará la adopción de GaN en el sector automotriz”, dijo Jim Witham, director ejecutivo de GaN Systems. “Nuestro nuevo diseño de vanguardia ofrece ganancias extraordinarias en eficiencia, densidad de potencia, costos, térmicas y reducción de la huella de CO2 para ofrecer una solución innovadora para nuestros clientes automotrices”.