ON Halbleiter hat zwei 1200-V-Siliziumkarbid (SiC) angekündigt MOSFET 2er-Pack-Module für den Markt für Elektrofahrzeuge (EV), im Vorfeld der APEC 2021. Das SiC MOSFET Module, basierend auf planaren Technologie, kann ein fahren Spannung Bereich von 18-20 V. Die Geräte lassen sich einfach mit negativen Gate-Spannungen ansteuern, so das Unternehmen.
Der NXH2P010MNF120 wurde für EV-Ladestationsanwendungen entwickelt und als 1-Pack-Halbbrücke konfiguriert. Der NXH10P1MNF006 ist ein 120-Mohm-Gerät in einem F2-Gehäuse, während der NXH6P2MNFXNUMX ein XNUMX-Mohm-Gerät in einem FXNUMX-Gehäuse ist. Die Gehäuse verfügen über Einpressstifte und sind somit für industrielle Anwendungen geeignet. Der größere Chip reduziert den thermischen Widerstand im Vergleich zu Trench Mosfets, wodurch die Werkzeugtemperatur bei gleicher Betriebstemperatur gesenkt wird, so das Unternehmen.
Die neuen SiC-MOSFET-Module wurden entwickelt, um mit den Treiberlösungen von ON Semi wie den NCD5700x-Bausteinen zusammenzuarbeiten. Der kürzlich eingeführte Treiber bietet 5 kV galvanische Trennung und kann für den Dual-Low-Side-, Dual-High-Side- oder Halbbrückenbetrieb konfiguriert werden. Es ist in einem kleinen SOIC-16 Widebody-Gehäuse untergebracht und akzeptiert Logikpegeleingänge (3.3 V, 5 V & 15 V). Das Hochstromgerät (Quelle 4.0 A / Senke 6.0 A bei Miller-Plateau-Spannung) ist für den Hochgeschwindigkeitsbetrieb mit typischen Laufzeitverzögerungen von 60 ns geeignet.
Während APEC 2021, ON Halbleiter wird seine SiC-Lösungen vorstellen, darunter 650-V-SiC-MOSFETs und 1200-V- und 900-V-N-Kanal-SiC-MOSFETs. Das Unternehmen plant außerdem, mehrere Seminare über seine Lösungen für das Off-Board-Laden von Elektrofahrzeugen zu veranstalten.
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