ON Semicondutores anunciou dois carboneto de silício (SiC) 1200-V mosfet Módulos de 2 pacotes para o mercado de veículos elétricos (EV), antes da APEC 2021. O SiC MOSFET módulos, baseados em planar tecnologia, pode dirigir um Voltagem faixa de 18-20 V. Os dispositivos são simples de conduzir com tensões de porta negativas, disse a empresa.
Projetado para aplicações de estação de carregamento EV e configurado como uma meia ponte de 2 pacotes, o NXH010P120MNF1 é um dispositivo de 10 mohm alojado em um pacote F1, enquanto o NXH006P120MNF2 é um dispositivo de 6 mohm em um pacote F2. Os pacotes apresentam pinos press-fit, tornando-os adequados para aplicações industriais. A matriz maior reduz a resistência térmica em comparação com a trincheira mosfet, que reduz a temperatura da matriz na mesma temperatura de operação, de acordo com a empresa.
Os novos módulos SiC MOSFET foram projetados para funcionar com as soluções de driver da ON Semi, como os dispositivos NCD5700x. O driver recentemente introduzido oferece 5 kV de isolamento galvânico e pode ser configurado para operação dupla no lado baixo, duplo lado alto ou meia ponte. Ele está alojado em um pequeno pacote de corpo largo SOIC-16 e aceita entradas de nível lógico (3.3 V, 5 V e 15 V). O dispositivo de alta corrente (fonte 4.0 A / dissipador 6.0 A na tensão do platô de Miller) é adequado para operação em alta velocidade com atrasos de propagação típicos de 60 ns.
Durante a APEC 2021, ON Semicondutores apresentará suas soluções de SiC, incluindo MOSFETs de SiC de 650 V e MOSFETs de SiC de canal N de 1200 V e 900 V. A empresa também planeja realizar vários seminários sobre suas soluções para carregamento externo de veículos elétricos.
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