Das Fuji 6MBI450U-170 ist ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das von Fuji Electric Corp. of America hergestellt wird. Dieses Modul wurde eingestellt und bietet Spezifikationen, die für Leistungssteuerungsanwendungen geeignet sind. Hier sind die Details basierend auf den bereitgestellten Informationen: Leider konnte der in URL [1] bereitgestellte Link nicht für zusätzliche Informationen analysiert werden. Allerdings ist die […]
Das Infineon FZ1600R17HP4-B2 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das von Infineon Technologies hergestellt wird. Dieses Modul ist Teil der IHM B-Serie und bietet beeindruckende Spezifikationen für verschiedene Industrieanwendungen. Es verfügt über ein Ein-Schalter-Design mit Fokus auf Effizienz und Zuverlässigkeit. Hier sind die wichtigsten Details zum Infineon FZ1600R17HP4-B2 […]
Es scheint sich um ein IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) zu handeln, das in leistungselektronischen Anwendungen verwendet wird.Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM): 1600 V – Die maximale Spannung, die wiederholt in umgekehrter Richtung angelegt werden kann.Non-Repetitive Peak Sperrspannung (VRSM): 1700 V – Die maximale Spannung, die in umgekehrter Richtung angelegt werden kann […]
das Infineon FF300R17KE3 IGBT-Modul. Es handelt sich in der Tat um ein Hochleistungs- und Hochfrequenzmodul, das für verschiedene industrielle Leistungselektronikanwendungen geeignet ist. Die hohen Spannungs- und Stromwerte des Moduls sowie seine Fähigkeit, bei hohen Frequenzen zu arbeiten, machen es gut geeignet für anspruchsvolle Leistungsschaltaufgaben Fassen Sie die wichtigsten Spezifikationen zusammen: Modellnummer: FF300R17KE3 Nennspannung: 1700 V (Volt) Dauerstrom […]
Das Infineon FZ600R17KE3 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das für Industrieantriebe, Windkraftanlagen und große Motorsteuerungsanwendungen entwickelt wurde. Es handelt sich um ein Halbbrückenmodul bestehend aus sechs IGBTs und sechs antiparallelen Dioden. Zu den wichtigsten Merkmalen und Spezifikationen des Moduls FZ600R17KE3 gehören: Hersteller: Infineon Produkt: IGBT-Siliziummodule Konfiguration: Duale Kollektor-Emitter-Spannung […]
FUJI 1MBI2400U4D-170 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor), das hervorragende Schaltfähigkeiten bietet und für verschiedene Anwendungen geeignet ist. Hauptmerkmale: Anwendungen: Maximale Nennwerte und Eigenschaften:
„Die Automobilbranche ist für uns ein ganz neuer Markt und dieser neue InnoSwitch-AQ mit integriertem 1700-V-SiC öffnet uns wirklich die Tür zur Unterstützung von EV-Anwendungen mit 800-V-Busbatteriespannung.“ Wir verfügen über Fachwissen im Hochspannungsbereich und können eine sehr kleine, zuverlässige, einfache und stromsparende Lösung anbieten, um sicherzustellen, dass die Batterie […]
10. Juli 2023 /SemiMedia/ — STMicroelectronics hat kürzlich den ersten galvanisch isolierten Gate-Treiber für Galliumnitrid (GaN)-Transistoren vorgestellt, den STGAP2GS, der Größe und Stücklisten in Anwendungen reduziert, die eine hervorragende Effizienz mit großer Bandlücke in Kombination mit robuster Sicherheit und Sicherheit erfordern elektrischer Schutz. Der einkanalige Treiber kann an eine Hochspannungsschiene bis 1200 V oder 1700 V angeschlossen werden […]
„Wenn es um isolierte Treiber geht, denken viele Hardware-Forschungs- und Entwicklungsingenieure an Optokoppler. Aber ist Optokoppler wirklich die einzige Option? Mit dem Trend der globalen Elektrifizierung und Digitalisierung verändert sich auch die Entwicklung der leistungselektronischen Technologie von Tag zu Tag: Die Schaltfrequenz von Leistungsgeräten wird weiter erhöht, der Einsatz von Breitbandlücken […]