Toshiba TPH2R306NH Auf Lager

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METALLOXID Halbleiter
JESD-30-Code: S-PDSO-F5
Anzahl der Elemente: 1
Anzahl der Terminals: 5
Betriebsmodus: VERBESSERUNGSMODUS
Gehäusematerial: KUNSTSTOFF / EPOXY
Verpackungsform: QUADRATISCH
Verpackungsstil: KLEINE ÜBERBLICK
Polarität / Kanaltyp: N-KANAL
Gepulster Drainstrom-Max (IDM): 200 A
Oberflächenmontage: JA
Terminalform: FLAT
Anschlussposition: DUAL
Transistor Anwendung: SCHALTEN
Transistor Element Material: SILIKON
Transistor POWER, FET, FET Allzweckleistung