Toshiba TPH2R306NH in magazzino

Aggiornamento: 23 marzo 2024 Tag:ic

TPH2R306NH

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E-mail: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/tph2r306nh.html

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OSSIDO DI METALLO semiconduttore
Codice JESD-30: S-PDSO-F5
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 5
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: QUADRATO
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 200 A
Montaggio superficiale: SI
Modulo terminale: FLAT
Posizione terminale: DUAL
Transistor Applicazione: COMMUTAZIONE
Transistor Materiale dell'elemento: SILICONE
Transistor POTENZA, FET, FET Potenza per uso generale
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