Toshiba TPH2R306NH En Stock

Mise à jour : 23 mars 2024 Mots clés:ic

TPH2R306NH

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Courriel: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/tph2r306nh.html

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MÉTAL-OXYDE semi-conducteur
Code JESD-30 : S-PDSO-F5
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 5
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de paquet: CARRÉ
Style de paquet: PETIT PLAN
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 200 A
Montage en surface: OUI
Forme du terminal : PLAT
Position terminale: DUAL
Transistor Application : COMMUTATION
Transistor Matériau de l'élément: SILICIUM
Transistor PUISSANCE, FET, FET Puissance à usage général
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