Toshiba TPH2R306NH Disponible

#TPH2R306NH Toshiba TPH2R306NH Nuevo TPH2R306NH Transistor ENERGÍA, FET, FET Energía de propósito general; TPH2R306NH, imágenes TPH2R306NH, precio TPH2R306NH, proveedor # TPH2R306NH
-----------------------
Correo electrónico: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/tph2r306nh.html

-----------------------

ÓXIDO DE METAL semiconductor
Código JESD-30: S-PDSO-F5
Número de elementos: 1
Número de terminales: 5
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: CUADRADO
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 200 A
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: PISO
Posición terminal: DUAL
Transistor Aplicación: CONMUTACIÓN
Transistor Material del elemento: SILICIO
Transistor POTENCIA, FET, FET Potencia de uso general