Llamada PSC1065K, la compañía no hace pública su hoja de datos completa: el resumen de datos revela una carga capacitiva total de 22 nC (Vr = 400 V, 200 A / μs, Tj = 150 ° C), pero no adelante voltaje.
Nota del editor, esto decía 15nC, tomado del resumen de datos que resulta que tenía un error.
Es uno de los diodos 'PiN Schottky combinados' de la compañía.
“Imperfecciones en el metal-Semiconductores son responsables de las corrientes de fuga en los diodos Schottky de SiC”, según la empresa. "Si bien estos pueden reducirse mediante el uso de una capa de deriva más gruesa, tiene la desventaja de una mayor resistencia óhmica y térmica".
La estructura fusionada “combina efectivamente un diodo Schottky y un diodo pn conectados en paralelo”, explicó. “Las áreas dopadas p se implantan en la zona de deriva de una estructura Schottky convencional, formando un contacto p-óhmico con el metal en el ánodo Schottky y una unión pn con la deriva o capa epi de SiC ligeramente dopada”.
Bajo polarización inversa, los pozos p empujan el área general de máxima intensidad de campo hacia abajo en la capa de deriva "casi libre de defectos", dijo, lejos de la barrera de metal con sus imperfecciones, reduciendo la corriente de fuga general.
La ubicación y el área del pozo p en comparación con el tamaño del diodo Schottky y la concentración de dopaje afectan las características finales, con la caída de voltaje directo intercambiada contra corrientes de fuga y pico.
“Como resultado, un dispositivo MPS puede operar a un voltaje de ruptura más alto con la misma corriente de fuga y el mismo grosor de la capa de deriva”, dijo Nexperia.
En la tubería hay dispositivos similares en el paquete de orificio pasante TO-247-2 más grande, así como versiones de montaje en superficie DPAK R2P y D2PAK R2P, luego piezas de grado automotriz de 650V y 1.2kV.
Se prevén aplicaciones en cargadores de baterías, sistemas de alimentación ininterrumpida e inversores fotovoltaicos.
Actualización: la ficha técnica ha sido publicada,
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