Disebut PSC1065K, perusahaan tidak mempublikasikan lembar data lengkapnya – ringkasan data mengungkapkan total muatan kapasitif 22nC (Vr=400V, 200A/μs, Tj=150°C), tetapi tidak diteruskan tegangan.
Catatan editor, ini membaca 15nC – diambil dari ringkasan data yang ternyata ada kesalahan.
Ini adalah salah satu dioda 'gabungan Pin Schottky' perusahaan.
“Ketidaksempurnaan di metal-Semikonduktor antarmuka bertanggung jawab atas kebocoran arus di dioda SiC Schottky,” menurut perusahaan. “Walaupun hal ini dapat dikurangi dengan menggunakan lapisan drift yang lebih tebal, hal ini memiliki kelemahan yaitu ketahanan ohmik dan termal yang lebih tinggi.”
Struktur gabungan, "secara efektif menggabungkan dioda Schottky dan dioda pn yang terhubung secara paralel", jelasnya. "area yang didoping p ditanamkan di zona drift dari struktur Schottky konvensional, membentuk kontak p-ohmic dengan logam di anoda Schottky dan persimpangan pn dengan drift SiC atau lapisan epi yang didoping ringan."
Di bawah bias terbalik, sumur-p mendorong area umum dengan kekuatan medan maksimum ke bawah ke lapisan drift yang "hampir bebas cacat", katanya, menjauh dari penghalang logam dengan ketidaksempurnaannya, mengurangi arus bocor keseluruhan.
Penempatan dan area p-well dibandingkan dengan ukuran dioda Schottky, dan konsentrasi doping, memengaruhi karakteristik ujung, dengan penurunan tegangan maju diperdagangkan melawan kebocoran dan arus lonjakan.
“Akibatnya, perangkat MPS dapat beroperasi pada tegangan tembus yang lebih tinggi dengan arus bocor dan ketebalan lapisan drift yang sama,” kata Nexperia.
Dalam pipeline terdapat perangkat serupa dalam paket through-hole TO-247-2 yang lebih besar, serta versi pemasangan permukaan DPAK R2P dan D2PAK R2P, kemudian suku cadang 650V dan 1.2kV tingkat otomotif.
Aplikasi diramalkan dalam pengisian daya baterai, catu daya tak terputus, dan inverter fotovoltaik.
Pembaruan: lembar data telah diterbitkan,
Lihat lebih banyak: modul IGBT | Layar LCD | Komponen Elektronik