Dipanggil PSC1065K, syarikat itu tidak membuat helaian data penuhnya kepada umum - ringkasan data mendedahkan jumlah cas kapasitif 22nC (Vr=400V, 200A/μs, Tj=150°C), tetapi tidak ke hadapan voltan.
Nota editor, ini memang membaca 15nC – diambil daripada ringkasan data yang ia berlaku mempunyai ralat.
Ia adalah salah satu diod 'PiN Schottky' syarikat yang digabungkan.
“Ketidaksempurnaan pada logam-Semikonduktor antara muka bertanggungjawab untuk arus kebocoran dalam diod SiC Schottky," menurut syarikat itu. "Walaupun ini boleh dikurangkan dengan menggunakan lapisan drift yang lebih tebal, ia datang dengan kelemahan rintangan ohmik dan haba yang lebih tinggi."
Struktur yang digabungkan, "menggabungkan dengan berkesan diod Schottky dan diod pn yang disambung secara selari", jelasnya. "Kawasan p-doped ditanamkan dalam zon hanyut struktur Schottky konvensional, membentuk sentuhan p-ohmik dengan logam di anod Schottky dan persimpangan pn dengan drift SiC dop ringan atau lapisan epi."
Di bawah pincang songsang, telaga-p menolak kawasan umum kekuatan medan maksimum ke bawah ke dalam lapisan hanyut "hampir tanpa kecacatan", katanya, menjauhi penghalang logam dengan ketidaksempurnaannya, mengurangkan arus kebocoran keseluruhan.
Penempatan dan keluasan telaga-p berbanding dengan saiz diod Schottky, dan kepekatan doping, mempengaruhi ciri-ciri akhir, dengan penurunan voltan hadapan didagangkan melawan arus kebocoran dan lonjakan.
"Akibatnya, peranti MPS boleh beroperasi pada voltan kerosakan yang lebih tinggi dengan arus bocor dan ketebalan lapisan hanyut yang sama," kata Nexperia.
Dalam perancangan adalah peranti serupa dalam pakej lubang telus TO-247-2 yang lebih besar, serta versi pemasangan permukaan DPAK R2P dan D2PAK R2P, kemudian bahagian 650V dan 1.2kV gred automotif.
Aplikasi diramalkan dalam pengecasan bateri, bekalan kuasa tidak terganggu dan penyongsang fotovoltaik.
Kemas kini: helaian data telah diterbitkan,
Lihat lagi: modul IGBT | Memaparkan LCD | Komponen Elektronik