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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM200GB120DN2
Fabricante: Infineon
Categoría de producto: Módulos IGBT
RoHS: SÍ
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: medio puente
Colector- Emisor voltaje VCEO Máx .: 1200 V
Saturación colector-emisor voltaje: 2.5 V
Corriente continua de colector a 25 C: 290 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Pd - Disipación de energía: 1.4 kW
Paquete / Caja: Half Bridge2
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150 C
Emisor de puerta máximo voltaje: 20 V
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 C
Estilo de montaje: tornillo
Cantidad de paquete de fábrica: 10
2IGBT: 200A1200V; Módulos IGBT 1200V 200A DUAL
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