#БСМ200ГБ120ДН2 EUPEC BSM200GB120DN2 Новый 2IGBT: 200А1200В; Модули IGBT 1200V 200A DUAL, изображения BSM200GB120DN2, цена BSM200GB120DN2, поставщик #BSM200GB120DN2
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ200ГБ120ДН2
Производитель: Infineon
Категория продукта: Модули IGBT
RoHS: ДА
Торговая марка: Infineon Technologies
Продукт: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: полумост
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс .: 1200 В
Насыщение коллектор-эмиттер напряжение: 2.5 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 290 A
Ток утечки затвор-эмиттер: 400 нА
Pd - Рассеиваемая мощность: 1.4 кВт
Упаковка / футляр: Half Bridge2
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Максимальный излучатель затвора напряжение: 20 V
Минимальная рабочая температура: -40 C
Тип крепления: винт
Количество заводской упаковки: 10
2IGBT: 200А1200В; Модули IGBT 1200V 200A DUAL
Shunlongwei проверил все BSM200GB120DN2 перед отправкой, все BSM200GB120DN2 с 6-месячной гарантией.