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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM200GB120DN2
メーカー：インフィニオン
製品カテゴリー：IGBTモジュール
RoHS：はい
ブランド：インフィニオンテクノロジーズ
製品：IGBTシリコンモジュール
構成：ハーフブリッジ
コレクター-エミッター 電圧 VCEO最大：1200 V
コレクター-エミッターの飽和 電圧：2.5 V
25 Cでの連続コレクタ電流：290 A
ゲート-エミッタリーク電流：400 nA
Pd –消費電力：1.4 kW
パッケージ/ケース：ハーフブリッジ2
最大動作温度：+ 150 C
最大ゲートエミッター 電圧：20 V
最低動作温度：– 40 C
取り付けスタイル：ネジ
ファクトリーパック数量：10
2IGBT：200A1200V; IGBTモジュール1200V200A DUAL
Shunlongweiは、出荷前にすべてのBSM200GB120DN2を検査し、すべてのBSM200GB120DN2を6か月の保証付きで検査しました。