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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM200GB120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria do Produto: Módulos IGBT
RoHS: SIM
Marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Meia Ponte
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 290 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 1.4 kW
Pacote / Caixa: Half Bridge2
Temperatura máxima de operação: + 150 C
Emissor máximo de porta Voltagem: 20 V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
2IGBT: 200A1200V; Módulos IGBT 1200V 200A DUAL
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