#BSM200GB120DN2 EUPEC BSM200GB120DN2 Nieuwe 2IGBT: 200A1200V; IGBT-modules 1200V 200A DUAL, BSM200GB120DN2 foto's, BSM200GB120DN2 prijs, #BSM200GB120DN2 leverancier
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM200GB120DN2
Fabrikant: Infineon
Productcategorie: IGBT-modules
RoHS: JA
Merk: Infineon Technologies
Product: IGBT-siliciummodules
Configuratie: Halve brug
Collector-zender spanning VCEO-max.: 1200 V
Verzamelaar-emitterverzadiging spanning: 2.5 V
Continue collectorstroom bij 25 C: 290 A.
Gate-Emitter Lekstroom: 400 nA
Pd - Vermogensverlies: 1.4 kW
Pakket/Geval: Halve Brug2
Maximale bedrijfstemperatuur: + 150 C
Maximale Gate Emitter spanning: 20 V
Minimale bedrijfstemperatuur: - 40 ° C
Montagestijl: schroef
Verpakkingshoeveelheid af fabriek: 10
2IGBT: 200A1200V; IGBT-modules 1200V 200A DUAL
Shunlongwei inspecteerde elke BSM200GB120DN2 vóór verzending, alle BSM200GB120DN2 met 6 maanden garantie.