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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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BSM75GB120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de nuestros producto: Módulos IGBT
RoHS: No
Marca: Infineon Technologies
Producto: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Medio puente
Colector- Emisor voltaje VCEO máx.: 1200 V
Voltaje de saturación colector-emisor: 2.5 V
Corriente continua del colector a 25 C: 105 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 320 na
Temperatura máxima de funcionamiento: + 150C
Paquete / Estuche: Medio Puente1
Voltaje máximo del emisor de puerta: 20 V
Temperatura de funcionamiento mínima: - 40 C
Estilo de montaje: Tornillo
Pd - Disipación de energía: 625 W
Cantidad de paquete de fábrica: 10
2IGBT: 75A1200V; Módulos IGBT 1200V 75A DUAL
Shunlongwei inspeccionó cada BSM75GB120DN2 antes del envío, todos los BSM75GB120DN2 con 6 meses de garantía.