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Email: sales@shunlongwei.com
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BSM75GB120DN2
Fabricante: Infineon
Categoria de Produto: Módulos IGBT
RoHS: Não
marca: Infineon Technologies
Produto: Módulos de silicone IGBT
Configuração: Meia Ponte
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V
Tensão de saturação do coletor-emissor: 2.5 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 105 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 320 nA
Temperatura operacional máxima: + 150ºC
Pacote / Caso: Meia Ponte 1
Tensão máxima do emissor da porta: 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Parafuso
Pd - Dissipação de energia: 625 W
Quantidade do pacote de fábrica: 10
2IGBT: 75A1200V; Módulos IGBT 1200V 75A DUAL
Shunlongwei inspecionado cada BSM75GB120DN2 antes do navio, todos BSM75GB120DN2 com 6 meses de garantia.