#BSM75GB120DN2 EUPEC BSM75GB120DN2 Nuovo 2IGBT: 75A1200V; Moduli IGBT 1200V 75A DUAL, immagini BSM75GB120DN2, prezzo BSM75GB120DN2, fornitore #BSM75GB120DN2
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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BSM75GB120DN2
Produttore: Infineon
Categoria Del Prodotto: Moduli IGBT
RoHS: Non
Marca: Infineon Technologies
Prodotti: Moduli IGBT in silicone
Configurazione: Mezzo ponte
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore: 2.5 V
Corrente continua del collettore a 25 C: Il 105
Corrente di dispersione gate-emettitore: 320 n.a
Temperatura operativa massima: + 150 Do
Pacchetto / caso: Mezzo ponte 1
Tensione Gate Emitter Massima: 20 V
Temperatura operativa minima: - 40 C
Stile di montaggio: Vite
Pd - Dissipazione di potenza: 625 W
Quantità confezione di fabbrica: 10
2IGBT: 75A1200V; Moduli IGBT 1200V 75A DUAL
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