#БСМ75ГБ120ДН2 EUPEC BSM75GB120DN2 Новый 2IGBT: 75А1200В; Модули IGBT 1200V 75A DUAL, изображения BSM75GB120DN2, цена BSM75GB120DN2, поставщик #BSM75GB120DN2
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Электронная почта: sales@shunlongwei.com
-----------------------
БСМ75ГБ120ДН2
Производитель: Infineon
Категория продукта: IGBT Модули
RoHS: Нет
Бренд: Infineon Technologies
Product: Кремниевые модули IGBT
Конфигурация: Половина моста
Коллектор-эмиттер напряжение VCEO Макс: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V
Постоянный ток коллектора при 25 C: 105
Ток утечки затвор-эмиттер: 320 нА
Максимальная рабочая температура: + 150 С
Пакет / Дело: Половина моста1
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 С
Вид монтажа: Винт
Pd - Рассеиваемая мощность: 625 W
Количество в упаковке: 10
2IGBT: 75А1200В; Модули IGBT 1200V 75A DUAL
Shunlongwei проверил все BSM75GB120DN2 перед отправкой, все BSM75GB120DN2 с 6-месячной гарантией.