#BSM75GB120DN2 EUPEC BSM75GB120DN2 ใหม่ 2IGBT: 75A1200V; โมดูล IGBT 1200V 75A DUAL, รูปภาพ BSM75GB120DN2, ราคา BSM75GB120DN2, # BSM75GB120DN2 ผู้จัดจำหน่าย
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
BSM75GB120DN2
ผู้ผลิต: Infineon
ประเภทสินค้า: โมดูล IGBT
RoHS: ไม่
ยี่ห้อ: เทคโนโลยี Infineon
สินค้า: โมดูล IGBT Silicon
การกำหนดค่า: สะพานครึ่ง
นักสะสม - ตัวปล่อย แรงดันไฟฟ้า VCEO สูงสุด: V 1200
Collector-Emitter Saturation แรงดันไฟฟ้า: V 2.5
กระแสสะสมอย่างต่อเนื่องที่ 25 C: 105
Gate-Emitter กระแสไฟรั่ว: 320 นาโนเมตร
อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: + 150 องศาเซลเซียส
แพ็คเกจ / เคส: ฮาล์ฟบริดจ์ 1
แรงดันไฟฟ้าประตูสูงสุด: V 20
อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: - 40 องศาเซลเซียส
รูปแบบการติด: สกรู
Pd - กำลังงานสูญเสีย: W 625
จำนวนแพ็คโรงงาน: 10
2IGBT: 75A1200V; โมดูล IGBT 1200V 75A DUAL
Shunlongwei ตรวจสอบ BSM75GB120DN2 ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง BSM75GB120DN2 ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน