Combinando fortalezas. Fuente de imagen: Infineon
Conclusiones clave de la adquisición de sistemas GaN por parte de Infineon:
- GaN Systems se integra en Infineon, ampliando su destreza tecnológica.
- Infineon mejora su cartera, convirtiéndose en un proveedor integral de semiconductores de potencia.
- La fusión crea una sólida red de fabricación, aumentando la resiliencia a las fluctuaciones del mercado.
Introducción
Ha sido un tema candente durante más de un año y ahora es oficial.[ 1 ]. alemán semiconductor El gigante Infineon, con casi 60,000 empleados, ha adquirido GaN Systems, especialista canadiense en nitruro de galio, por un coste de 830 millones de dólares (EE.UU.). Infineon ya tiene una poderosa presencia en el mercado mundial de semiconductores de potencia GaN, así como en dispositivos de carburo de silicio (SiC).
Con la adquisición de GaN Systems, Infineon no sólo amplía su base tecnológica sino que también mejora su posicionamiento estratégico en el mercado de semiconductores de potencia en rápida evolución. Esta medida es un testimonio del compromiso de Infineon de liderar la transición hacia soluciones energéticas más eficientes desde el punto de vista energético, un paso crucial para abordar los desafíos energéticos globales y el cambio climático. La sinergia entre las amplias capacidades de I+D de Infineon y el innovador GaN de GaN Systems la tecnología promete desbloquear nuevas posibilidades en la electrónica de potencia, impulsando avances en varios sectores, incluidos los de energía renovable, automoción y electrónica de consumo.
Lo que dicen los directores
Jochen Hanebeck, director ejecutivo de Infineon, afirma que “la tecnología GaN está allanando el camino para soluciones más eficientes energéticamente y de ahorro de CO2 que apoyan la descarbonización. La adopción en aplicaciones como carga móvil, fuentes de alimentación para centros de datos, inversores solares residenciales y cargadores a bordo para vehículos eléctricos se encuentra en un punto de inflexión, lo que conduce a un crecimiento dinámico del mercado”. Si bien Infineon ya es un importante proveedor de dispositivos GaN, Hanebeck afirma que “la adquisición planificada de GaN Systems acelerará significativamente nuestra hoja de ruta de GaN, basada en recursos inigualables de I+D, comprensión de las aplicaciones y cartera de proyectos de los clientes. Siguiendo nuestra estrategia, la combinación fortalecerá aún más el liderazgo de Infineon en sistemas de energía a través del dominio de todas las tecnologías de energía relevantes, ya sea silicio, carburo de silicio o nitruro de galio”.
Según GaN Systems, el director ejecutivo Jim Witham afirma: “El equipo de GaN Systems está entusiasmado por asociarse con Infineon para crear ofertas para clientes altamente diferenciadoras, basadas en la combinación de fortalezas complementarias. Con nuestra experiencia conjunta para brindar soluciones superiores, aprovecharemos de manera óptima el potencial de GaN. La combinación de los corredores de fundición de GaN Systems con la capacidad de fabricación interna de Infineon permite una capacidad de crecimiento máxima para atender la adopción acelerada de GaN en una amplia gama de nuestros mercados objetivo. Estoy muy orgulloso de lo que GaN Systems ha logrado hasta ahora y no puedo esperar para ayudar a escribir el próximo capítulo junto con Infineon. Como fabricante de dispositivos integrados con una amplia capacidad tecnológica, Infineon nos permite liberar todo nuestro potencial”.
Acerca de GaN y SiC
Los transistores de potencia de GaN y SiC son miembros de la clase de semiconductores de banda prohibida amplia. Mientras que los transistores clásicos basados en silicio sólo pueden encenderse y apagarse unos cientos de miles de veces por segundo, los dispositivos de banda prohibida ancha funcionan a velocidades mucho más altas. Además, cuando se encienden, la resistencia a través del dispositivo (RDSON) es mucho menor.
Los transistores GaN conmutan más rápido que los dispositivos de SiC, pero las unidades de SiC pueden manejar más energía. Como tal, cada uno tiene su propio lugar en el diseño electrónico. Dado que la mayoría de las empresas se esfuerzan por ser proveedores integrales que resuelvan todas las necesidades que tienen sus clientes en materia de semiconductores de potencia, esta es quizás una de las fuerzas impulsoras que impulsa la ola de fusiones y adquisiciones que ahora se manifiesta en la industria de los semiconductores.
Combinando fortalezas
En la práctica, el GaN es más apropiado para aplicaciones de potencia media, mientras que el SiC se emplearía para alimentar energía eléctrica al motor principal de un vehículo eléctrico. Con la compra de GaN Systems, Infineon aumenta su capacidad de ofrecer una gama más amplia de dispositivos.
A pesar de todas sus ventajas, es difícil diseñar con GaN y SiC. Esta es la razón por la que incluso los OEM más grandes simplemente no quieren mantener los equipos de ingeniería súper especializados necesarios para hacerlo. Debido a esto, Infineon ofrece no sólo dispositivos discretos sino también dispositivos monolíticos que incorporan tanto el semiconductor de potencia como su controlador. Esto requiere mucho esfuerzo de ingeniería y la incorporación de GaN Systems significa que Infineon ahora cuenta con 450 expertos en GaN.
Se espera que la colaboración entre Infineon y GaN Systems acelere el desarrollo de soluciones GaN de próxima generación, reduciendo aún más el consumo de energía de los dispositivos y sistemas electrónicos. Al aprovechar la experiencia de GaN Systems en la creación de transistores GaN compactos, eficientes y de alto rendimiento, Infineon pretende establecer nuevos puntos de referencia en la industria de los semiconductores de potencia. Esta adquisición estratégica subraya la importancia de la tecnología GaN para permitir el progreso tecnológico sostenible y la eficiencia energética.
En el tenso entorno geopolítico actual, una de las medidas más importantes de la fortaleza de una empresa de semiconductores es su acceso a tantas fuentes de fundición independientes como sea posible. De esta manera, las dos empresas aumentan sus puntos fuertes mutuamente.
Infineon ha ampliado una fundición de 200 milímetros en Kulim, Malasia[ 2 ] para la producción de dispositivos de potencia de SiC. Espera invertir 5 millones de euros adicionales en los próximos años. También tiene acuerdos de producción con GlobalFoundries.[ 3 ], y con II-VI Incorporated, con sede en EE. UU.[ 4 ].
GaN Systems, por su parte, disfruta de una asociación a largo plazo con Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), la fundición de chips más grande del mundo. De hecho, el campus de GaN Systems Taiwán se encuentra a poca distancia de TSMC en el Parque Científico de Hsinchu.[ 5 ].
La asociación estratégica con TSMC mejora la capacidad de GaN Systems y ahora de Infineon para satisfacer la creciente demanda de soluciones basadas en GaN. Las capacidades de fabricación de semiconductores de vanguardia de TSMC, combinadas con la tecnología innovadora de GaN Systems, garantizan la producción de dispositivos GaN confiables y de alta calidad. Esta colaboración es fundamental para promover la adopción de la tecnología GaN en una amplia gama de aplicaciones, consolidando aún más la posición de Infineon como líder en el mercado de semiconductores de potencia.
Retos y oportunidades
El desafío para una empresa de semiconductores de potencia es hacerlo todo, porque eso es lo que exigirán los clientes OEM. Esto incluye ofrecer una cartera completa de dispositivos GaN y SiC. Algunos preferirán transistores discretos y otros los querrán empaquetados con controladores. Hay una lista interminable de especificaciones eléctricas internas, incluidas preocupaciones ambientales, y es posible que los OEM más grandes no estén satisfechos exactamente con lo que ofrece el fabricante, pero el acuerdo multimillonario podría salvarse con una modificación “ligera”.
Y, por supuesto, en el mundo impredecible de hoy, el OEM inteligente considerará la diversidad de ubicaciones de fundición como la consideración más importante de todas.
Todo esto requiere organizaciones más grandes, y quizás de igual importancia, ninguna fuente de fundición para un componente vital.
Resumen
Los dispositivos basados en semiconductores de GaN y SiC son sorprendentemente eficientes. ¿Alguna vez has notado que el cargador de tu teléfono inteligente nunca se calienta? Esto se debe a que el transistor GaN en su corazón desperdicia sorprendentemente poca energía. Es cuestionable si el mundo alcanzará o no “carbono cero” en el corto plazo; Los semiconductores de banda ancha hacen que cada vatio cuente.
La adquisición de GaN Systems por parte de Infineon marca un hito importante en el viaje de la industria de los semiconductores hacia un futuro más eficiente desde el punto de vista energético. A medida que la demanda de semiconductores de potencia continúa creciendo, impulsada por el impulso global para la descarbonización y la electrificación del sector automotriz, la cartera mejorada de GaN de Infineon posiciona a la compañía para desempeñar un papel fundamental en la configuración del futuro del consumo de energía. La experiencia combinada de Infineon y GaN Systems en tecnología GaN será fundamental para desarrollar soluciones innovadoras que satisfagan las necesidades cambiantes del mercado y al mismo tiempo contribuyan a la sostenibilidad ambiental.
La compra de GaN Systems por parte de Infineon significa que la empresa combinada podrá ofrecer más opciones a los clientes OEM y, en última instancia, más flexibilidad.
Referencias:
- Infineon adquirirá GaN Systems, fortaleciendo su cartera de GaN y reforzando aún más su liderazgo global en Power Systems: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202303-073.html
- Infineon construirá la planta de energía de SiC de 200 milímetros más grande del mundo en Kulim, Malasia, lo que generará un potencial de ingresos total de aproximadamente siete mil millones de euros para finales de la década: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202308-140.html
- Infineon y GlobalFoundries amplían el acuerdo a largo plazo centrándose en microcontroladores automotrices: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2024/INFXX202401-048.html
- Infineon amplía su base de proveedores de obleas de carburo de silicio / Acuerdo de suministro firmado con II-VI Incorporated, con sede en EE. UU.: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2022/INFXX202208-114.html
- GaN Systems y TSMC presentan los últimos avances en electrónica de potencia en el Simposio de tecnología de TSMC de 2022: https://gansystems.com/newsroom/showcase-power-electronics-tsmc-symposium/
Glosario de términos clave:
- Carburo de Silicio (SiC). Miembro de la clase de dispositivos conocidos como semiconductores de banda prohibida ancha. Estos dispositivos pueden manejar una potencia de aproximadamente 1 MW y pueden encenderse y apagarse a velocidades generalmente inferiores a 1 MHz.
- Nitruro de galio. (GaN) Otro semiconductor de banda prohibida amplia, los dispositivos GaN manejan niveles de potencia de hasta 10 kW a frecuencias de conmutación de 10 mHz o más.