Combinando pontos fortes. Fonte da imagem: Infineon
Principais conclusões da aquisição de sistemas GaN pela Infineon:
- GaN Systems integra-se à Infineon, expandindo sua capacidade tecnológica.
- A Infineon aprimora seu portfólio, tornando-se um fornecedor abrangente de semicondutores de potência.
- A fusão cria uma rede de produção robusta, aumentando a resiliência às flutuações do mercado.
Introdução
Tem sido um tema quente há mais de um ano e agora é oficial[1]. alemão Semicondutor a gigante Infineon, com quase 60,000 funcionários, adquiriu GaN Systems, especialista canadense em nitreto de gálio, a um custo de US$ 830 milhões (EUA). A Infineon já tem uma presença poderosa no mercado mundial de semicondutores de potência GaN, bem como em dispositivos de carboneto de silício (SiC).
Com a aquisição da GaN Systems, a Infineon não só amplia a sua base tecnológica, mas também melhora o seu posicionamento estratégico no mercado de semicondutores de potência em rápida evolução. Esta mudança é uma prova do compromisso da Infineon em liderar a transição para soluções energéticas mais eficientes em termos energéticos, um passo crucial na abordagem aos desafios energéticos globais e às alterações climáticas. A sinergia entre as extensas capacidades de P&D da Infineon e o inovador GaN da GaN Systems tecnologia promete desbloquear novas possibilidades em eletrônica de potência, impulsionando avanços em vários setores, incluindo energia renovável, automotivo e eletrônicos de consumo.
O que dizem os diretores
Jochen Hanebeck, CEO da Infineon, afirma que “a tecnologia GaN está abrindo caminho para soluções mais eficientes em termos energéticos e com economia de CO2 que apoiam a descarbonização. A adoção em aplicações como carregamento móvel, fontes de alimentação de data centers, inversores solares residenciais e carregadores integrados para veículos elétricos está no ponto crítico, levando a um crescimento dinâmico do mercado.” Embora a Infineon já seja um importante fornecedor de dispositivos GaN, Hanebeck afirma que “A aquisição planejada da GaN Systems irá acelerar significativamente nosso roteiro de GaN, com base em recursos incomparáveis de P&D, compreensão de aplicações e pipeline de projetos do cliente. Seguindo a nossa estratégia, a combinação fortalecerá ainda mais a liderança da Infineon em Sistemas de Energia através do domínio de todas as tecnologias de energia relevantes, seja em silício, carboneto de silício ou nitreto de gálio.”
De acordo com a GaN Systems, o CEO Jim Witham afirma: “A equipe da GaN Systems está entusiasmada com a parceria com a Infineon para criar ofertas altamente diferenciadas aos clientes, com base na união de forças complementares. Com nossa experiência conjunta no fornecimento de soluções superiores, aproveitaremos de forma otimizada o potencial do GaN. A combinação dos corredores de fundição da GaN Systems com a capacidade de fabricação interna da Infineon permite a capacidade máxima de crescimento para atender à adoção acelerada de GaN em uma ampla gama de nossos mercados-alvo. Estou muito orgulhoso do que a GaN Systems realizou até agora e mal posso esperar para ajudar a escrever o próximo capítulo junto com a Infineon. Como fabricante de dispositivos integrados com ampla capacidade tecnológica, a Infineon nos permite liberar todo o nosso potencial.”
Sobre GaN e SiC
Os transistores de potência GaN e SiC são membros da classe de semicondutores de banda larga. Embora os transistores clássicos baseados em silício só possam ligar e desligar algumas centenas de milhares de vezes por segundo, os dispositivos com banda larga operam em velocidades muito mais altas. Além disso, quando eles são “LIGADOS”, a resistência no dispositivo (RDSON) é muito menor.
Os transistores GaN alternam mais rápido do que os dispositivos SiC, mas as unidades SiC podem suportar mais energia. Como tal, cada um tem o seu lugar no design eletrônico. Como a maioria das empresas se esforça para ser fornecedora completa que resolva todas as necessidades de semicondutores de potência que seus clientes têm, esta é talvez uma das forças motrizes que impulsionam a onda de fusões e aquisições agora aparente na indústria de semicondutores.
Combinando pontos fortes
Na prática, o GaN é mais apropriado para aplicações de potência média, enquanto o SiC seria empregado para alimentar com energia elétrica o motor principal de um veículo elétrico. Com a compra da GaN Systems, a Infineon aumenta sua capacidade de oferecer uma gama mais ampla de dispositivos.
Apesar de todas as suas vantagens, GaN e SiC são difíceis de projetar. É por isso que mesmo os maiores OEMs simplesmente não querem manter as equipes de engenharia superespecializadas necessárias para isso. Por causa disso, a Infineon oferece não apenas dispositivos discretos, mas também dispositivos monolíticos que incorporam tanto o semicondutor de potência quanto seu driver. Isso exige muito poder do pessoal de engenharia, e a incorporação de sistemas GaN significa que a Infineon agora possui 450 especialistas em GaN.
Espera-se que a colaboração entre a Infineon e a GaN Systems acelere o desenvolvimento de soluções GaN de próxima geração, reduzindo ainda mais o consumo de energia de dispositivos e sistemas eletrônicos. Ao aproveitar a experiência da GaN Systems na criação de transistores GaN compactos, eficientes e de alto desempenho, a Infineon pretende estabelecer novos padrões na indústria de semicondutores de potência. Esta aquisição estratégica sublinha a importância da tecnologia GaN para permitir o progresso tecnológico sustentável e a eficiência energética.
No atual ambiente geopolítico tenso, uma das medidas mais importantes da força de uma empresa de semicondutores é o seu acesso ao maior número possível de fontes de fundição separadas. Nesta medida, as duas empresas aumentam os pontos fortes uma da outra.
A Infineon ampliou uma fundição de 200 milímetros em Kulim, Malásia[2] para a produção de dispositivos de energia SiC. Espera investir mais 5 mil milhões de euros nos próximos anos. Também possui acordos de produção com a GlobalFoundries[3]e com a II-VI Incorporated, com sede nos EUA[4].
A GaN Systems, por sua vez, desfruta de uma parceria de longo prazo com a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), a maior fundição de chips do mundo. Na verdade, o campus da GaN Systems Taiwan fica a poucos passos do TSMC no Hsinchu Science Park[5].
A parceria estratégica com a TSMC aprimora a capacidade da GaN Systems e agora da Infineon de atender à crescente demanda por soluções baseadas em GaN. As capacidades de fabricação de semicondutores de ponta da TSMC, combinadas com a tecnologia inovadora da GaN Systems, garantem a produção de dispositivos GaN confiáveis e de alta qualidade. Esta colaboração é fundamental para avançar na adoção da tecnologia GaN em uma ampla gama de aplicações, solidificando ainda mais a posição da Infineon como líder no mercado de semicondutores de potência.
Desafios e oportunidades
O desafio para uma empresa de semicondutores de potência é fazer tudo, porque é isso que os clientes OEM exigirão. Isso inclui a oferta de um portfólio completo de dispositivos GaN e SiC. Alguns preferirão transistores discretos e outros irão querer que eles sejam fornecidos com drivers. Há uma lista interminável de especificações elétricas internas, incluindo preocupações ambientais, e os OEMs maiores podem não ficar satisfeitos exatamente com o que o fabricante oferece, mas o acordo multimilionário pode ser salvo com uma “leve” modificação.
E, claro, no mundo imprevisível de hoje, o OEM experiente considerará a diversidade de locais de fundição como a consideração mais importante de todas.
Tudo isto exige organizações maiores e, talvez de igual importância, nenhuma fonte de fundição para um componente vital.
Resumindo
Dispositivos baseados em semicondutores GaN e SiC são surpreendentemente eficientes. Você já percebeu como o carregador do seu smartphone nunca esquenta? Isso ocorre porque o transistor GaN em sua essência desperdiça surpreendentemente pouca energia. É questionável se o mundo atingirá ou não o “carbono zero” em breve; semicondutores de banda larga fazem com que cada watt conte.
A aquisição da GaN Systems pela Infineon marca um marco significativo na jornada da indústria de semicondutores em direção a um futuro com maior eficiência energética. À medida que a procura por semicondutores de energia continua a crescer, impulsionada pelo impulso global para a descarbonização e a eletrificação do setor automóvel, o portfólio melhorado de GaN da Infineon posiciona a empresa para desempenhar um papel fundamental na definição do futuro do consumo de energia. A experiência combinada da Infineon e da GaN Systems na tecnologia GaN será fundamental no desenvolvimento de soluções inovadoras que atendam às necessidades em evolução do mercado, ao mesmo tempo que contribuem para a sustentabilidade ambiental.
A compra da GaN Systems pela Infineon significa que a empresa combinada será capaz de oferecer mais opções para clientes OEM e, em última análise, mais flexibilidade.
Referências:
- Infineon adquirirá GaN Systems, fortalecendo seu portfólio GaN e reforçando ainda mais sua liderança global em Sistemas de Energia: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202303-073.html
- A Infineon construirá a maior SiC Power Fab de 200 milímetros do mundo em Kulim, na Malásia, levando a um potencial de receita total de cerca de sete bilhões de euros até o final da década: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202308-140.html
- Infineon e GlobalFoundries estendem o acordo de longo prazo com foco em microcontroladores automotivos: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2024/INFXX202401-048.html
- Infineon expande base de fornecedores para wafers de carboneto de silício / Acordo de fornecimento assinado com a II-VI Incorporated, com sede nos EUA: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2022/INFXX202208-114.html
- GaN Systems e TSMC apresentam os mais recentes avanços em eletrônica de potência no Simpósio de Tecnologia TSMC 2022: https://gansystems.com/newsroom/showcase-power-electronics-tsmc-symposium/
Glossário de termos-chave:
- Carboneto de Silício (SiC). Um membro da classe de dispositivos conhecidos como semicondutores de banda larga. Esses dispositivos podem suportar potência de cerca de 1 MW e podem ligar e desligar em velocidades geralmente inferiores a 1 MHz.
- Nitreto de gálio. (GaN) Outro semicondutor de banda larga, os dispositivos GaN suportam níveis de potência de até 10 kW em frequências de comutação de 10 MHz ou mais