Combinare le forze. Fonte immagine: Infineon
Punti chiave dell'acquisizione dei sistemi GaN da parte di Infineon:
- GaN Systems si integra in Infineon, espandendo la sua capacità tecnologica.
- Infineon arricchisce il proprio portafoglio, diventando un fornitore completo di semiconduttori di potenza.
- La fusione crea una solida rete produttiva, aumentando la resilienza alle fluttuazioni del mercato.
Introduzione
Se ne parla da più di un anno e ora è ufficiale,. Tedesco semiconduttore il colosso Infineon, con quasi 60,000 dipendenti, ha acquisito GaN Systems, specialista canadese nel nitruro di gallio, per un costo di 830 milioni di dollari (USA). Infineon vanta già una forte presenza nel mercato mondiale dei semiconduttori di potenza GaN, nonché dei dispositivi al carburo di silicio (SiC).
Con l'acquisizione di GaN Systems, Infineon non solo amplia la propria base tecnologica, ma migliora anche il proprio posizionamento strategico nel mercato dei semiconduttori di potenza in rapida evoluzione. Questa mossa testimonia l’impegno di Infineon nel guidare la transizione verso soluzioni energetiche più efficienti dal punto di vista energetico, un passo cruciale nell’affrontare le sfide energetiche globali e il cambiamento climatico. La sinergia tra le ampie capacità di ricerca e sviluppo di Infineon e l'innovativo GaN di GaN Systems la tecnologia promette di sbloccare nuove possibilità nell’elettronica di potenza, favorendo progressi in vari settori tra cui l’energia rinnovabile, l’automotive e l’elettronica di consumo.
Cosa dicono i presidi
Jochen Hanebeck, CEO di Infineon, afferma che “la tecnologia GaN sta aprendo la strada a soluzioni più efficienti dal punto di vista energetico e di risparmio di CO2 che supportano la decarbonizzazione. L’adozione di applicazioni come la ricarica mobile, gli alimentatori per data center, gli inverter solari residenziali e i caricabatterie di bordo per veicoli elettrici è al punto di svolta, portando a una crescita dinamica del mercato”. Sebbene Infineon sia già un importante fornitore di dispositivi GaN, Hanebeck afferma che “L’acquisizione pianificata di GaN Systems accelererà in modo significativo la nostra tabella di marcia GaN, basata su risorse di ricerca e sviluppo, comprensione delle applicazioni e pipeline di progetti dei clienti senza eguali. Seguendo la nostra strategia, la combinazione rafforzerà ulteriormente la leadership di Infineon nei sistemi energetici attraverso la padronanza di tutte le tecnologie energetiche rilevanti, che si tratti di silicio, carburo di silicio o nitruro di gallio”.
Secondo GaN Systems, il CEO Jim Witham afferma: “Il team di GaN Systems è entusiasta di collaborare con Infineon per creare offerte per i clienti altamente differenzianti, basate sull'unione di punti di forza complementari. Grazie alla nostra esperienza congiunta nel fornire soluzioni superiori, sfrutteremo in modo ottimale il potenziale del GaN. La combinazione dei corridoi di fonderia di GaN Systems con la capacità produttiva interna di Infineon consente la massima capacità di crescita per favorire l'adozione sempre più rapida del GaN in un'ampia gamma di mercati target. Sono molto orgoglioso di ciò che GaN Systems ha realizzato finora e non vedo l’ora di contribuire a scrivere il prossimo capitolo insieme a Infineon. In qualità di produttore di dispositivi integrati con un’ampia capacità tecnologica, Infineon ci consente di liberare tutto il nostro potenziale”.
Informazioni su GaN e SiC
I transistor di potenza GaN e SiC appartengono entrambi alla classe dei semiconduttori ad ampio gap di banda. Mentre i classici transistor a base di silicio possono accendersi e spegnersi solo poche centinaia di migliaia di volte al secondo, i dispositivi con ampio gap di banda funzionano a velocità molto più elevate. Inoltre, quando si accendono, la resistenza attraverso il dispositivo (RDSON) è molto più bassa.
I transistor GaN commutano più velocemente rispetto ai dispositivi SiC, ma le unità SiC possono gestire più potenza. Ciascuno di essi ha quindi il proprio posto nella progettazione elettronica. Poiché la maggior parte delle aziende si sforza di essere un fornitore unico in grado di risolvere tutte le esigenze dei propri clienti in materia di semiconduttori di potenza, questa è forse una delle forze trainanti che spinge l'ondata di fusioni e acquisizioni ora evidente nel settore dei semiconduttori.
Combinare le forze
In pratica, il GaN è più appropriato per le applicazioni di media potenza, mentre il SiC verrebbe impiegato per fornire energia elettrica al motore principale di un veicolo elettrico. Con l'acquisto di GaN Systems, Infineon aumenta la propria capacità di offrire una gamma più ampia di dispositivi.
Nonostante tutti i vantaggi, GaN e SiC sono difficili da progettare. Questo è il motivo per cui anche i più grandi OEM semplicemente non vogliono mantenere i team di ingegneri super specializzati necessari per farlo. Per questo motivo, Infineon offre non solo dispositivi discreti ma anche dispositivi monolitici che incorporano sia il semiconduttore di potenza che il relativo driver. Ciò richiede molta competenza da parte del personale tecnico e l’incorporazione di GaN Systems significa che Infineon vanta ora 450 esperti GaN.
Si prevede che la collaborazione tra Infineon e GaN Systems accelererà lo sviluppo di soluzioni GaN di prossima generazione, riducendo ulteriormente il consumo energetico di dispositivi e sistemi elettronici. Sfruttando l'esperienza di GaN Systems nella creazione di transistor GaN compatti, efficienti e ad alte prestazioni, Infineon mira a stabilire nuovi parametri di riferimento nel settore dei semiconduttori di potenza. Questa acquisizione strategica sottolinea l’importanza della tecnologia GaN nel consentire il progresso tecnologico sostenibile e l’efficienza energetica.
Nel difficile contesto geopolitico di oggi, una delle misure più importanti della forza di un'azienda di semiconduttori è il suo accesso al maggior numero possibile di fonti di fonderia separate. In questo modo le due aziende aumentano reciprocamente i propri punti di forza.
Infineon ha ampliato una fonderia da 200 millimetri a Kulim, in Malesia, per la produzione di dispositivi di potenza in SiC. Si prevede di investire altri 5 miliardi di euro nei prossimi anni. Ha anche accordi di produzione con GlobalFoundries,e con la II-VI Incorporated con sede negli Stati Uniti,.
GaN Systems, dal canto suo, gode di una partnership a lungo termine con Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), la più grande fonderia di chip al mondo. In effetti, il campus GaN Systems Taiwan si trova a breve distanza da TSMC nel Hsinchu Science Park,.
La partnership strategica con TSMC migliora la capacità di GaN Systems e ora di Infineon di soddisfare la crescente domanda di soluzioni basate su GaN. Le capacità di produzione di semiconduttori all'avanguardia di TSMC, combinate con la tecnologia innovativa di GaN Systems, garantiscono la produzione di dispositivi GaN affidabili e di alta qualità. Questa collaborazione è fondamentale per promuovere l'adozione della tecnologia GaN in un'ampia gamma di applicazioni, consolidando ulteriormente la posizione di Infineon come leader nel mercato dei semiconduttori di potenza.
Sfide e opportunità
La sfida per un'azienda di semiconduttori di potenza è fare tutto, perché è ciò che richiederanno i clienti OEM. Ciò include l’offerta di un portafoglio completo di dispositivi GaN e SiC. Alcuni preferiranno transistor discreti e altri li vorranno confezionati con driver. Esiste un elenco infinito di specifiche elettriche interne, comprese le preoccupazioni ambientali, e gli OEM più grandi potrebbero non essere soddisfatti esattamente di ciò che offre il produttore, ma l’affare multimilionario potrebbe essere salvato con una “leggera” modifica.
E, naturalmente, nel mondo imprevedibile di oggi, l'OEM esperto considererà la diversità delle sedi delle fonderie come la considerazione più importante di tutte.
Tutto ciò richiede organizzazioni più grandi e, forse, di pari importanza, nessuna fonte di fonderia per un componente vitale.
Avvolgere Up
I dispositivi basati su semiconduttori GaN e SiC sono sorprendentemente efficienti. Hai mai notato come il caricabatterie del tuo smartphone non si surriscaldi mai? Questo perché il transistor GaN al suo interno spreca sorprendentemente poca energia. È discutibile se il mondo raggiunga o meno l’obiettivo “zero emissioni di carbonio” in tempi brevi; I semiconduttori ad ampio gap di banda fanno sì che ogni watt conti.
L'acquisizione di GaN Systems da parte di Infineon segna una pietra miliare significativa nel percorso dell'industria dei semiconduttori verso un futuro più efficiente dal punto di vista energetico. Mentre la domanda di semiconduttori di potenza continua a crescere, spinta dalla spinta globale verso la decarbonizzazione e l’elettrificazione del settore automobilistico, il portafoglio GaN potenziato di Infineon consente all’azienda di svolgere un ruolo fondamentale nel plasmare il futuro del consumo energetico. L’esperienza combinata di Infineon e GaN Systems nella tecnologia GaN sarà determinante nello sviluppo di soluzioni innovative che soddisfino le esigenze in evoluzione del mercato contribuendo allo stesso tempo alla sostenibilità ambientale.
L'acquisto di GaN Systems da parte di Infineon significa che la società combinata sarà in grado di offrire più scelte ai clienti OEM e, in definitiva, maggiore flessibilità.
Riferimenti:
- Infineon acquisirà GaN Systems, rafforzando il proprio portafoglio GaN e rafforzando ulteriormente la propria leadership globale nei sistemi energetici: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202303-073.html
- Infineon costruirà la più grande SiC Power Fab da 200 millimetri del mondo a Kulim, in Malesia, con un potenziale di fatturato totale di circa sette miliardi di euro entro la fine del decennio: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202308-140.html
- Infineon e GlobalFoundries estendono l'accordo a lungo termine concentrandosi sui microcontrollori automobilistici: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2024/INFXX202401-048.html
- Infineon amplia la base di fornitori di wafer in carburo di silicio / Siglato un accordo di fornitura con la statunitense II-VI Incorporated: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2022/INFXX202208-114.html
- GaN Systems e TSMC presentano gli ultimi progressi nell'elettronica di potenza al simposio sulla tecnologia TSMC del 2022: https://gansystems.com/newsroom/showcase-power-electronics-tsmc-symposium/
Glossario dei termini chiave:
- Carburo di silicio (SiC). Un membro della classe di dispositivi noti come semiconduttori ad ampio gap di banda. Questi dispositivi possono gestire una potenza di circa 1 MW e possono accendersi e spegnersi a velocità generalmente inferiori a 1 MHz
- Nitruro di gallio. (GaN) Un altro semiconduttore ad ampio gap di banda, i dispositivi GaN gestiscono livelli di potenza fino a 10 kW a frequenze di commutazione di 10 mHz o più