Menggabungkan Kekuatan. Sumber gambar: Infineon
Poin Penting dari Akuisisi Sistem GaN oleh Infineon:
- GaN Systems berintegrasi ke dalam Infineon, memperluas kehebatan teknologinya.
- Infineon meningkatkan portofolionya dengan menjadi penyedia semikonduktor daya yang komprehensif.
- Penggabungan ini menciptakan jaringan manufaktur yang kuat, meningkatkan ketahanan terhadap fluktuasi pasar.
Pengantar
Ini telah menjadi topik hangat selama lebih dari setahun, dan sekarang sudah resmi[1]. Jerman semikonduktor raksasa Infineon, dengan hampir 60,000 karyawan, telah mengakuisisi spesialis Gallium Nitrida GaN Systems asal Kanada dengan biaya $830 juta (AS). Infineon telah memiliki kehadiran yang kuat di pasar dunia untuk semikonduktor daya GaN, serta perangkat Silicon Carbide (SiC).
Dengan mengakuisisi GaN Systems, Infineon tidak hanya memperluas basis teknologinya namun juga meningkatkan posisi strategisnya di pasar semikonduktor daya yang berkembang pesat. Langkah ini merupakan bukti komitmen Infineon untuk memimpin transisi menuju solusi listrik yang lebih hemat energi, sebuah langkah penting dalam mengatasi tantangan energi global dan perubahan iklim. Sinergi antara kemampuan penelitian dan pengembangan Infineon yang luas dan GaN inovatif Sistem GaN teknologi berjanji untuk membuka kemungkinan-kemungkinan baru dalam bidang elektronika daya, mendorong kemajuan di berbagai sektor termasuk energi terbarukan, otomotif, dan elektronik konsumen.
Apa Kata Kepala Sekolah
Jochen Hanebeck, CEO Infineon, menyatakan bahwa “Teknologi GaN membuka jalan bagi solusi yang lebih hemat energi dan hemat CO2 yang mendukung dekarbonisasi. Penerapan aplikasi seperti pengisian daya seluler, pasokan listrik pusat data, inverter surya perumahan, dan pengisi daya onboard untuk kendaraan listrik berada pada titik kritis, yang mengarah pada pertumbuhan pasar yang dinamis.” Meskipun Infineon sudah menjadi pemasok utama perangkat GaN, Hanebeck menegaskan bahwa “Rencana akuisisi Sistem GaN akan mempercepat peta jalan GaN kami secara signifikan, berdasarkan sumber daya penelitian dan pengembangan yang tak tertandingi, pemahaman aplikasi, dan alur proyek pelanggan. Sesuai dengan strategi kami, kombinasi ini akan semakin memperkuat kepemimpinan Infineon di Sistem Tenaga Listrik melalui penguasaan seluruh teknologi tenaga listrik yang relevan, baik itu silikon, silikon karbida, atau galium nitrida.”
Sesuai dengan GaN Systems, CEO Jim Witham menyatakan, “Tim GaN Systems sangat antusias untuk bekerja sama dengan Infineon untuk menciptakan penawaran pelanggan yang sangat berbeda, berdasarkan pada menyatukan kekuatan yang saling melengkapi. Dengan keahlian bersama kami dalam memberikan solusi unggul, kami akan memanfaatkan potensi GaN secara optimal. Menggabungkan koridor pengecoran GaN Systems dengan kapasitas produksi internal Infineon memungkinkan kemampuan pertumbuhan maksimal untuk melayani percepatan adopsi GaN di berbagai target pasar kami. Saya sangat bangga dengan pencapaian GaN Systems sejauh ini dan tidak sabar untuk membantu menulis bab berikutnya bersama Infineon. Sebagai produsen perangkat terintegrasi dengan kemampuan teknologi luas, Infineon memungkinkan kami mengeluarkan potensi penuh kami.”
Tentang GaN dan SiC
Transistor daya GaN dan SiC keduanya merupakan anggota kelas semikonduktor celah pita lebar. Meskipun transistor klasik berbasis silikon hanya dapat hidup dan mati beberapa ratus ribu kali per detik, perangkat dengan celah pita lebar beroperasi pada kecepatan yang jauh lebih tinggi. Selain itu, ketika tombol tersebut “ON”, resistansi pada perangkat (RDSON) jauh lebih rendah.
Transistor GaN beralih lebih cepat daripada perangkat SiC, namun unit SiC dapat menangani lebih banyak daya. Dengan demikian, masing-masing memiliki tempatnya sendiri dalam desain elektronik. Karena sebagian besar perusahaan berusaha untuk menjadi penyedia terpadu yang memenuhi semua kebutuhan pelanggan mereka akan semikonduktor listrik, hal ini mungkin merupakan salah satu kekuatan pendorong yang mendorong gelombang merger dan akuisisi yang kini terlihat di industri semikonduktor.
Menggabungkan Kekuatan
Dalam praktiknya, GaN paling sesuai untuk aplikasi berdaya menengah, sementara SiC akan digunakan untuk menyalurkan daya listrik ke motor penggerak utama kendaraan listrik. Dengan pembelian GaN Systems, Infineon meningkatkan kemampuannya dalam menawarkan perangkat yang lebih beragam.
Terlepas dari semua kelebihannya, GaN dan SiC sulit untuk dirancang. Inilah sebabnya mengapa OEM terbesar pun tidak ingin mempertahankan tim teknik super terspesialisasi yang diperlukan untuk melakukannya. Oleh karena itu, Infineon tidak hanya menawarkan perangkat terpisah namun juga perangkat monolitik yang menggabungkan semikonduktor daya dan drivernya. Hal ini membutuhkan banyak tenaga ahli teknik, dan penggabungan Sistem GaN berarti Infineon kini memiliki 450 ahli GaN.
Kolaborasi antara Infineon dan GaN Systems diharapkan dapat mempercepat pengembangan solusi GaN generasi mendatang, sehingga semakin mengurangi konsumsi energi perangkat dan sistem elektronik. Dengan memanfaatkan keahlian GaN Systems dalam menciptakan transistor GaN yang ringkas, efisien, dan berkinerja tinggi, Infineon bertujuan untuk menetapkan tolok ukur baru dalam industri semikonduktor daya. Akuisisi strategis ini menggarisbawahi pentingnya teknologi GaN dalam memungkinkan kemajuan teknologi berkelanjutan dan efisiensi energi.
Dalam lingkungan geopolitik yang penuh tantangan saat ini, salah satu ukuran terpenting dari kekuatan perusahaan semikonduktor adalah aksesnya terhadap sebanyak mungkin sumber pengecoran logam yang berbeda. Dalam ukuran ini, kedua perusahaan saling meningkatkan kekuatan masing-masing.
Infineon telah menambah pabrik pengecoran 200 milimeter di Kulim, Malaysia[2] untuk produksi perangkat listrik SiC. Mereka mengharapkan untuk menginvestasikan tambahan €5 miliar dalam beberapa tahun mendatang. Ia juga memiliki perjanjian produksi dengan GlobalFoundries[3], dan dengan II-VI Incorporated yang berbasis di AS[4].
GaN Systems, pada bagiannya, menikmati kemitraan jangka panjang dengan Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), pabrik pengecoran chip terbesar di dunia. Faktanya, kampus GaN Systems Taiwan berada dalam jarak berjalan kaki dari TSMC di Hsinchu Science Park[5].
Kemitraan strategis dengan TSMC meningkatkan kemampuan GaN Systems dan kini Infineon dalam memenuhi permintaan yang terus meningkat akan solusi berbasis GaN. Kemampuan manufaktur semikonduktor terdepan TSMC, dikombinasikan dengan teknologi inovatif GaN Systems, memastikan produksi perangkat GaN berkualitas tinggi dan andal. Kolaborasi ini sangat penting dalam memajukan penerapan teknologi GaN di berbagai aplikasi, sehingga semakin memperkuat posisi Infineon sebagai pemimpin di pasar semikonduktor daya.
Tantangan dan Peluang
Tantangan bagi perusahaan semikonduktor listrik adalah melakukan semuanya, karena itulah yang diminta oleh pelanggan OEM. Hal ini termasuk menawarkan portofolio lengkap perangkat GaN dan SiC. Beberapa lebih memilih transistor diskrit, dan yang lain menginginkannya dikemas dengan driver. Ada banyak sekali daftar spesifikasi kelistrikan internal, termasuk masalah lingkungan, dan OEM yang lebih besar mungkin tidak puas dengan apa yang ditawarkan pabrikan, namun kesepakatan jutaan dolar mungkin bisa diselamatkan dengan “sedikit” modifikasi.
Dan, tentu saja, di dunia yang tidak dapat diprediksi saat ini, OEM yang cerdas akan mempertimbangkan keragaman lokasi pengecoran sebagai pertimbangan terpenting.
Semua ini memerlukan organisasi yang lebih besar, dan mungkin sama pentingnya, tidak ada satupun sumber pengecoran untuk komponen penting.
Wrapping Up
Perangkat berbasis semikonduktor GaN dan SiC sangat efisien. Pernahkah Anda memperhatikan bagaimana pengisi daya ponsel cerdas Anda tidak pernah panas? Itu karena transistor GaN pada intinya hanya membuang sedikit energi. Apakah dunia akan mencapai “nol karbon” dalam waktu dekat masih dipertanyakan; semikonduktor celah pita lebar membuat setiap watt dihitung.
Akuisisi GaN Systems oleh Infineon menandai tonggak penting dalam perjalanan industri semikonduktor menuju masa depan yang lebih hemat energi. Seiring dengan meningkatnya permintaan akan semikonduktor listrik, didorong oleh dorongan global untuk dekarbonisasi dan elektrifikasi sektor otomotif, peningkatan portofolio GaN Infineon menempatkan perusahaan untuk memainkan peran penting dalam membentuk masa depan konsumsi energi. Gabungan keahlian Infineon dan Sistem GaN dalam teknologi GaN akan berperan penting dalam mengembangkan solusi inovatif yang memenuhi kebutuhan pasar yang terus berkembang sekaligus berkontribusi terhadap kelestarian lingkungan.
Pembelian GaN Systems oleh Infineon berarti bahwa perusahaan gabungan ini akan dapat menawarkan lebih banyak pilihan bagi pelanggan OEM dan, pada akhirnya, lebih banyak fleksibilitas.
Referensi:
- Infineon akan mengakuisisi GaN Systems, memperkuat portofolio GaN dan semakin memperkuat kepemimpinan globalnya dalam Sistem Tenaga: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202303-073.html
- Infineon akan membangun SiC Power Fab 200 milimeter terbesar di dunia di Kulim, Malaysia, yang menghasilkan total potensi pendapatan sekitar tujuh miliar euro pada akhir dekade ini: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202308-140.html
- Infineon dan GlobalFoundries memperpanjang perjanjian jangka panjang dengan fokus pada mikrokontroler otomotif: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2024/INFXX202401-048.html
- Infineon memperluas basis pemasok untuk wafer silikon karbida / Perjanjian pasokan ditandatangani dengan II-VI Incorporated yang berbasis di AS: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2022/INFXX202208-114.html
- GaN Systems & TSMC Memamerkan Kemajuan Elektronika Daya Terbaru di Simposium Teknologi TSMC 2022: https://gansystems.com/newsroom/showcase-power-electronics-tsmc-symposium/
Glosarium Istilah-Istilah Utama:
- Silikon Karbida (SiC). Anggota kelas perangkat yang dikenal sebagai semikonduktor celah pita lebar. Perangkat ini dapat menangani daya sekitar 1 MW dan dapat menghidupkan dan mematikan pada kecepatan yang umumnya kurang dari 1 MHz
- Galium Nitrida. (GaN) Semikonduktor celah pita lebar lainnya, perangkat GaN menangani tingkat daya hingga 10 kW pada frekuensi switching 10 mHz atau lebih