Het combineren van sterke punten. Afbeeldingsbron: Infineon
Belangrijkste punten uit de overname van GaN Systems door Infineon:
- GaN Systems integreert in Infineon en breidt zijn technologische bekwaamheid uit.
- Infineon breidt zijn portfolio uit en wordt een alomvattende leverancier van vermogenshalfgeleiders.
- Door de fusie ontstaat een robuust productienetwerk, waardoor de veerkracht tegen marktschommelingen toeneemt.
Introductie
Het is al meer dan een jaar een hot topic en nu is het officieel[1]. Duitse halfgeleider reus Infineon, met bijna 60,000 werknemers, heeft de Canadese galliumnitridespecialist GaN Systems overgenomen voor een bedrag van $830 miljoen (VS). Infineon heeft al een krachtige aanwezigheid op de wereldwijde markt voor GaN-vermogenshalfgeleiders, evenals op het gebied van siliciumcarbide (SiC)-apparaten.
Met de overname van GaN Systems verbreedt Infineon niet alleen zijn technologische basis, maar verbetert ook zijn strategische positionering in de snel evoluerende markt voor vermogenshalfgeleiders. Deze stap is een bewijs van de toewijding van Infineon om leiding te geven aan de transitie naar energie-efficiëntere energieoplossingen, een cruciale stap in het aanpakken van de mondiale energie-uitdagingen en de klimaatverandering. De synergie tussen de uitgebreide R&D-mogelijkheden van Infineon en het innovatieve GaN van GaN Systems technologie belooft nieuwe mogelijkheden op het gebied van vermogenselektronica te ontsluiten en vooruitgang te boeken in verschillende sectoren, waaronder hernieuwbare energie, de automobielsector en consumentenelektronica.
Wat de directeuren zeggen
Jochen Hanebeck, CEO van Infineon, stelt dat “GaN-technologie de weg vrijmaakt voor energie-efficiëntere en CO2-besparende oplossingen die het koolstofvrij maken ondersteunen. De adoptie in toepassingen zoals mobiel opladen, datacentervoedingen, residentiële zonne-energie-omvormers en ingebouwde laders voor elektrische voertuigen bevindt zich op het omslagpunt, wat leidt tot een dynamische marktgroei.” Hoewel Infineon al een belangrijke leverancier van GaN-apparaten is, beweert Hanebeck dat “de geplande overname van GaN Systems onze GaN-routekaart aanzienlijk zal versnellen, gebaseerd op ongeëvenaarde R&D-middelen, inzicht in toepassingen en pijplijn met klantprojecten. In navolging van onze strategie zal de combinatie het leiderschap van Infineon op het gebied van energiesystemen verder versterken door de beheersing van alle relevante energietechnologieën, of het nu gaat om silicium, siliciumcarbide of galliumnitride.”
CEO Jim Witham van GaN Systems zegt: “Het team van GaN Systems is enthousiast over de samenwerking met Infineon om een zeer onderscheidend klantaanbod te creëren, gebaseerd op het samenbrengen van complementaire krachten. Met onze gezamenlijke expertise in het leveren van superieure oplossingen zullen we het potentieel van GaN optimaal benutten. Het combineren van de gieterijcorridors van GaN Systems met de interne productiecapaciteit van Infineon maakt een maximaal groeivermogen mogelijk om de versnelde adoptie van GaN in een groot aantal van onze doelmarkten te ondersteunen. Ik ben erg trots op wat GaN Systems tot nu toe heeft bereikt en kan niet wachten om samen met Infineon het volgende hoofdstuk te helpen schrijven. Als geïntegreerde apparaatfabrikant met een brede technologische capaciteit stelt Infineon ons in staat ons volledige potentieel te benutten.”
Over GaN en SiC
GaN- en SiC-vermogenstransistors behoren beide tot de klasse van halfgeleiders met grote bandafstand. Terwijl klassieke op silicium gebaseerde transistors slechts een paar honderdduizend keer per seconde kunnen worden in- en uitgeschakeld, werken apparaten met een grote bandafstand op veel hogere snelheden. Bovendien, wanneer ze “AAN” worden gezet, is de weerstand over het apparaat (RDSON) veel lager.
GaN-transistors schakelen sneller dan SiC-apparaten, maar SiC-eenheden kunnen meer stroom aan. Als zodanig heeft elk zijn eigen plaats in elektronisch ontwerp. Omdat de meeste bedrijven ernaar streven een one-stop-provider te zijn die alle behoeften van hun klanten aan vermogenshalfgeleiders oplost, is dit wellicht een van de drijvende krachten achter de golf van fusies en overnames die nu zichtbaar is in de halfgeleiderindustrie.
Het combineren van sterke punten
In de praktijk is GaN het meest geschikt voor toepassingen met gemiddeld vermogen, terwijl SiC zou worden gebruikt om elektrische stroom naar de hoofdaandrijfmotor van een elektrisch voertuig te voeren. Met de aankoop van GaN Systems vergroot Infineon zijn vermogen om een breder scala aan apparaten aan te bieden.
Ondanks al hun voordelen zijn GaN en SiC moeilijk te ontwerpen. Dit is de reden waarom zelfs de grootste OEM's simpelweg niet over de supergespecialiseerde technische teams willen beschikken die daarvoor nodig zijn. Daarom biedt Infineon niet alleen discrete apparaten, maar ook monolithische apparaten die zowel de vermogenshalfgeleider als de driver ervan bevatten. Dit vergt veel technische mensenkracht, en de integratie van GaN Systems betekent dat Infineon nu over 450 GaN-experts beschikt.
De samenwerking tussen Infineon en GaN Systems zal naar verwachting de ontwikkeling van de volgende generatie GaN-oplossingen versnellen, waardoor het energieverbruik van elektronische apparaten en systemen verder zal worden verminderd. Door gebruik te maken van de expertise van GaN Systems op het gebied van het creëren van compacte, efficiënte en krachtige GaN-transistors, wil Infineon nieuwe maatstaven zetten in de vermogenshalfgeleiderindustrie. Deze strategische acquisitie onderstreept het belang van GaN-technologie bij het mogelijk maken van duurzame technologische vooruitgang en energie-efficiëntie.
In de huidige beladen geopolitieke omgeving is een van de belangrijkste maatstaven van de kracht van een halfgeleiderbedrijf de toegang tot zoveel mogelijk afzonderlijke gieterijbronnen. Hiermee versterken de twee bedrijven elkaars sterke punten.
Infineon heeft een gieterij van 200 millimeter in Kulim, Maleisië, uitgebreid[2] voor de productie van SiC-vermogensapparaten. Het verwacht de komende jaren nog eens € 5 miljard extra te investeren. Het heeft ook productieovereenkomsten met GlobalFoundries[3], en met het in de VS gevestigde II-VI Incorporated[4].
GaN Systems heeft op zijn beurt een langdurige samenwerking met Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), 's werelds grootste chipgieterij. De campus van GaN Systems Taiwan ligt zelfs op loopafstand van TSMC in het Hsinchu Science Park[5].
Het strategische partnerschap met TSMC vergroot het vermogen van GaN Systems en nu Infineon om te voldoen aan de groeiende vraag naar op GaN gebaseerde oplossingen. TSMC's toonaangevende productiecapaciteiten voor halfgeleiders, gecombineerd met de innovatieve technologie van GaN Systems, zorgen voor de productie van hoogwaardige, betrouwbare GaN-apparaten. Deze samenwerking is van cruciaal belang voor het bevorderen van de acceptatie van GaN-technologie in een breed scala aan toepassingen, waardoor de positie van Infineon als leider op de markt voor vermogenshalfgeleiders verder wordt verstevigd.
Uitdagingen en kansen
De uitdaging voor een vermogenshalfgeleiderbedrijf is om alles te doen, want dat is wat OEM-klanten zullen eisen. Dit omvat het aanbieden van een volledig portfolio van zowel GaN- als SiC-apparaten. Sommigen zullen de voorkeur geven aan discrete transistors, terwijl anderen willen dat ze worden verpakt met stuurprogramma's. Er is een eindeloze lijst met interne elektrische specificaties, inclusief milieuoverwegingen, en grotere OEM's zijn misschien niet tevreden met wat de fabrikant precies biedt, maar de deal van meerdere miljoenen dollars zou kunnen worden gered met een ‘kleine’ wijziging.
En uiteraard zal de slimme OEM in de onvoorspelbare wereld van vandaag de diversiteit aan gieterijlocaties als de allerbelangrijkste overweging beschouwen.
Dit alles vraagt om grotere organisaties, en misschien net zo belangrijk: niet één gieterijbron voor een essentieel onderdeel.
Afsluiten
Apparaten op basis van GaN- en SiC-halfgeleiders zijn verbazingwekkend efficiënt. Is het je ooit opgevallen dat je smartphone-oplader nooit heet wordt? Dat komt omdat de GaN-transistor in het hart verbazingwekkend weinig energie verspilt. Of de wereld op korte termijn wel of niet ‘nul koolstof’ zal bereiken, is twijfelachtig; halfgeleiders met een grote bandafstand zorgen ervoor dat elke watt telt.
De overname van GaN Systems door Infineon markeert een belangrijke mijlpaal in de reis van de halfgeleiderindustrie naar een energiezuinigere toekomst. Terwijl de vraag naar elektrische halfgeleiders blijft groeien, gedreven door de wereldwijde drang naar het koolstofarm maken en de elektrificatie van de automobielsector, positioneert Infineons verbeterde GaN-portfolio het bedrijf om een cruciale rol te spelen bij het vormgeven van de toekomst van het energieverbruik. De gecombineerde expertise van Infineon en GaN Systems op het gebied van GaN-technologie zal van groot belang zijn bij het ontwikkelen van innovatieve oplossingen die voldoen aan de veranderende behoeften van de markt en tegelijkertijd bijdragen aan de ecologische duurzaamheid.
De aankoop van GaN Systems door Infineon betekent dat het gecombineerde bedrijf OEM-klanten meer keuze en uiteindelijk meer flexibiliteit kan bieden.
Referenties:
- Infineon gaat GaN Systems overnemen, waardoor zijn GaN-portfolio wordt versterkt en zijn wereldwijde leiderschap op het gebied van Power Systems verder wordt versterkt: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202303-073.html
- Infineon gaat 's werelds grootste SiC Power Fab van 200 millimeter bouwen in Kulim, Maleisië, wat tegen het einde van het decennium tot een totaal omzetpotentieel van ongeveer zeven miljard euro zal leiden: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2023/INFXX202308-140.html
- Infineon en GlobalFoundries verlengen de langetermijnovereenkomst met een focus op microcontrollers voor de automobielsector: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2024/INFXX202401-048.html
- Infineon breidt leveranciersbasis voor siliciumcarbidewafels uit / Leveringsovereenkomst getekend met het Amerikaanse II-VI Incorporated: https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2022/INFXX202208-114.html
- GaN Systems & TSMC presenteren de nieuwste ontwikkelingen op het gebied van vermogenselektronica op het TSMC Technology Symposium 2022: https://gansystems.com/newsroom/showcase-power-electronics-tsmc-symposium/
Verklarende woordenlijst met sleutelbegrippen:
- Siliciumcarbide (SiC). Een lid van de klasse apparaten die bekend staat als halfgeleiders met een brede bandafstand. Deze apparaten kunnen een vermogen van ongeveer 1 MW verwerken en kunnen in- en uitschakelen met snelheden die doorgaans lager zijn dan 1 MHz
- Galliumnitride. (GaN) Een andere halfgeleider met een grote bandafstand, GaN-apparaten, kunnen vermogensniveaus tot 10 kW aan bij schakelfrequenties van 10 MHz of meer