Mitsubishi PM50CSE120 Disponible

Actualización: 22 de noviembre de 2023 Tags:ic
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FUNCIÓN PM50CSE120
a) Adopción de un nuevo plano de cuarta generación IGBT chip, cuyo rendimiento se mejora mediante el proceso de regla fina de 1μm. b) Usando un nuevo diodo que está diseñado para obtener características suaves de recuperación inversa.
• IGBT de detección de corriente de 3φ 50 A, 1200 V para conmutación de 15 kHz
• Lógica de protección y accionamiento de puerta monolítica
• Circuitos de detección, protección e indicación de estado para sobrecorriente, cortocircuitocircuito, sobrecalentamiento yvoltaje
• Aplicación de inversor de clase 5.5 / 7.5kW sin ruido acústico
Calificaciones y características máximas 
.Clasificaciones máximas absolutas (Tc = 25 ° C a menos que no se especifique)
Colector-Emisor voltaje Vces: 1200 V
Voltaje puerta-emisor VGES: ± 20V
Corriente del colector IC: 50A
Corriente de colector Icp: 100A
Disipación de potencia del colector Pc: 328W
Voltaje colector-emisor VCES: 2500V
Temperatura de unión de funcionamiento Tj: + 150 ° C
Temperatura de almacenamiento Tstg: -40 a + 125 ° C
Par de apriete del tornillo de montaje 3.5 * 1 N · m