Mitsubishi PM50CSE120 재고

업데이트: 22년 2023월 XNUMX일 태그 :ic
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PM50CSE120 기능
a) 새로운 4세대 Planar 채택 IGBT 1μm의 파인 룰 공정으로 성능을 향상시킨 칩. b) 소프트 역회복 특성을 갖도록 설계된 새로운 다이오드 사용.
• 3kHz 스위칭을위한 50φ 1200A, 15V 전류 감지 IGBT
• 모놀리식 게이트 드라이브 및 보호 로직
• 과전류, 단락에 대한 감지, 보호 및 상태 표시 회로회로, 과열 및 미달전압
• 무소음 5.5/7.5kW급 인버터 적용
최대 등급 및 특성 
. 절대 최대 정격 (지정되지 않은 경우 Tc = 25 ° C)
수집기 방출기 전압 Vces : 1200V
게이트 이미 터 전압 VGES : ± 20V
수집기 전류 IC: 50A
콜렉터 전류 Icp : 100A
수집기 전력 흩어지기 Pc : 328W
Collector-Emitter 전압 VCES : 2500V
작동 접합 온도 Tj : + 150 ° C
보관 온도 Tstg : -40 ~ + 125 ° C
장착 나사 토크 3.5 * 1 N · m