#PM50CSE120 Mitsubishi PM50CSE120 Novo PM50CSE120 IGBT Módulo Dupla 100A/1000V; , fotos PM50CSE120, preço PM50CSE120, fornecedor #PM50CSE120
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Email: sales@shunlongwei.com
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RECURSO PM50CSE120
a) Adotando o novo plano de 4ª geração IGBT chip, cujo desempenho é melhorado pelo processo de régua fina de 1μm. b) Usando um novo diodo que é projetado para obter características de recuperação reversa suave.
• IGBT de detecção de corrente de 3φ 50 A, 1200 V para comutação de 15 kHz
• Unidade de porta monolítica e lógica de proteção
• Circuitos de detecção, proteção e indicação de status para sobrecorrente, curtoo circuito, superaquecimento e sub-Voltagem
• Aplicação de inversor de classe 5.5 / 7.5kW sem ruído acústico
Classificações e características máximas
. Avaliações máximas absolutas (Tc = 25 ° C, a menos que sem especificação)
Coletor-Emissor Voltagem Vces: 1200V
Tensão do emissor-porta VGES: ± 20V
Corrente de coletor IC: 50A
Corrente do coletor Icp: 100A
Dissipação de energia do coletor Pc: 328W
Tensão do coletor-emissor VCES: 2500V
Temperatura de junção operacional Tj: + 150 ° C
Temperatura de armazenamento Tstg: -40 a + 125 ° C
Torque do parafuso de montagem 3.5 * 1 N · m
a) Adotando o novo plano de 4ª geração IGBT chip, cujo desempenho é melhorado pelo processo de régua fina de 1μm. b) Usando um novo diodo que é projetado para obter características de recuperação reversa suave.
• IGBT de detecção de corrente de 3φ 50 A, 1200 V para comutação de 15 kHz
• Unidade de porta monolítica e lógica de proteção
• Circuitos de detecção, proteção e indicação de status para sobrecorrente, curtoo circuito, superaquecimento e sub-Voltagem
• Aplicação de inversor de classe 5.5 / 7.5kW sem ruído acústico
Classificações e características máximas
. Avaliações máximas absolutas (Tc = 25 ° C, a menos que sem especificação)
Coletor-Emissor Voltagem Vces: 1200V
Tensão do emissor-porta VGES: ± 20V
Corrente de coletor IC: 50A
Corrente do coletor Icp: 100A
Dissipação de energia do coletor Pc: 328W
Tensão do coletor-emissor VCES: 2500V
Temperatura de junção operacional Tj: + 150 ° C
Temperatura de armazenamento Tstg: -40 a + 125 ° C
Torque do parafuso de montagem 3.5 * 1 N · m