#PM50CSE120 Mitsubishi PM50CSE120 Mới PM50CSE120 IGBT Mô-đun kép 100A /1000V; , Hình ảnh PM50CSE120, giá PM50CSE120, #PM50CSE120 nhà cung cấp
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
TÍNH NĂNG PM50CSE120
a) Áp dụng máy phẳng thế hệ thứ 4 mới IGBT chip, mà mỗi hình thức được cải thiện bằng quy trình quy tắc nhỏ 1μm. b) Sử dụng Diode mới được thiết kế để có được các đặc tính thu hồi đảo ngược mềm.
• IGBT cảm nhận dòng điện 3φ 50A, 1200V để chuyển đổi 15kHz
• Ổ cổng nguyên khối và logic bảo vệ
• Mạch phát hiện, bảo vệ & chỉ báo trạng thái cho quá dòng, ngắnmạch, quá nhiệt độ và thấp hơnVôn
• Ứng dụng biến tần lớp 5.5 / 7.5kW ít tiếng ồn
Xếp hạng và đặc điểm tối đa
Xếp hạng tối đa tuyệt đối (Tc = 25 ° C trừ khi không có chỉ định)
Bộ thu-phát Vôn Vces: 1200V
Điện áp Gate-Emitter VGES: ± 20V
Dòng thu IC: 50A
Bộ sưu tập hiện tại Icp: 100A
Tản nhiệt bộ thu Pc: 328W
Điện áp đầu thu-phát VCES: 2500V
Nhiệt độ mối nối hoạt động Tj: + 150 ° C
Nhiệt độ bảo quản Tstg: -40 đến + 125 ° C
Gắn mô-men xoắn vít 3.5 * 1 N · m
a) Áp dụng máy phẳng thế hệ thứ 4 mới IGBT chip, mà mỗi hình thức được cải thiện bằng quy trình quy tắc nhỏ 1μm. b) Sử dụng Diode mới được thiết kế để có được các đặc tính thu hồi đảo ngược mềm.
• IGBT cảm nhận dòng điện 3φ 50A, 1200V để chuyển đổi 15kHz
• Ổ cổng nguyên khối và logic bảo vệ
• Mạch phát hiện, bảo vệ & chỉ báo trạng thái cho quá dòng, ngắnmạch, quá nhiệt độ và thấp hơnVôn
• Ứng dụng biến tần lớp 5.5 / 7.5kW ít tiếng ồn
Xếp hạng và đặc điểm tối đa
Xếp hạng tối đa tuyệt đối (Tc = 25 ° C trừ khi không có chỉ định)
Bộ thu-phát Vôn Vces: 1200V
Điện áp Gate-Emitter VGES: ± 20V
Dòng thu IC: 50A
Bộ sưu tập hiện tại Icp: 100A
Tản nhiệt bộ thu Pc: 328W
Điện áp đầu thu-phát VCES: 2500V
Nhiệt độ mối nối hoạt động Tj: + 150 ° C
Nhiệt độ bảo quản Tstg: -40 đến + 125 ° C
Gắn mô-men xoắn vít 3.5 * 1 N · m