23 de abril de 2024: ROHM y STMicroelectronics anunciaron recientemente la expansión del acuerdo de suministro de obleas de sustrato de carburo de silicio (SiC) de 150 mm a largo plazo y de varios años existente con SiCrystal, una empresa del grupo ROHM. El nuevo acuerdo plurianual rige el suministro de mayores volúmenes de obleas de sustrato de SiC fabricadas en Nuremberg, Alemania, por un valor mínimo esperado de 230 millones de dólares.
Geoff West, vicepresidente ejecutivo y director de adquisiciones de STMicroelectronics, comentó: “Este acuerdo ampliado con SiCrystal traerá volúmenes adicionales de obleas de sustrato de SiC de 150 mm para respaldar el aumento de la capacidad de fabricación de nuestros dispositivos para clientes industriales y de automoción en todo el mundo. Ayuda a fortalecer la resiliencia de nuestra cadena de suministro para el crecimiento futuro, con una combinación equilibrada de suministro interno y comercial en todas las regiones”.
“SiCrystal es una empresa del grupo ROHM, una empresa líder en SiC, y lleva muchos años fabricando obleas de sustrato de SiC. Estamos muy contentos de ampliar este acuerdo de suministro con nuestro cliente ST desde hace mucho tiempo. Continuaremos apoyando a nuestro socio para expandir el negocio de SiC aumentando continuamente las cantidades de obleas de sustrato de SiC de 150 mm y brindando siempre una calidad confiable”. afirmó el Dr. Robert Eckstein, presidente y director ejecutivo de SiCrystal, una empresa del grupo ROHM.
Los semiconductores de potencia de SiC energéticamente eficientes permiten la electrificación en los sectores automotriz e industrial de una manera más sostenible. Al facilitar una generación, distribución y almacenamiento de energía más eficientes, el SiC respalda la transición hacia soluciones de movilidad más limpias, procesos industriales con menores emisiones y un futuro energético más ecológico, así como suministros de energía más confiables para infraestructuras que consumen muchos recursos, como centros de datos dedicados a aplicaciones de IA.