23 April 2024 — ROHM dan STMicroelectronics baru-baru ini mengumumkan pengembangan perjanjian pembekalan wafer substrat silikon karbida (SiC) berbilang tahun dan jangka panjang sedia ada dengan SiCrystal, sebuah syarikat kumpulan ROHM. Perjanjian berbilang tahun baharu itu mengawal pembekalan volum yang lebih besar bagi wafer substrat SiC yang dikeluarkan di Nuremberg, Jerman, untuk nilai jangkaan minimum sebanyak $150 juta.
Geoff West, EVP dan Ketua Pegawai Perolehan, STMicroelectronics, mengulas “Perjanjian yang diperluaskan dengan SiCrystal ini akan membawa volum tambahan wafer substrat SiC 150mm untuk menyokong peningkatan kapasiti pembuatan peranti kami untuk pelanggan automotif dan industri di seluruh dunia. Ia membantu mengukuhkan daya tahan rantaian bekalan kami untuk pertumbuhan masa hadapan, dengan gabungan seimbang bekalan dalaman dan komersil merentas wilayah”.
“SiCrystal ialah syarikat kumpulan ROHM, syarikat terkemuka SiC, dan telah mengeluarkan wafer substrat SiC selama bertahun-tahun. Kami amat berbesar hati untuk melanjutkan perjanjian bekalan ini dengan pelanggan lama kami ST. Kami akan terus menyokong rakan kongsi kami untuk mengembangkan perniagaan SiC dengan meningkatkan kuantiti wafer substrat SiC 150mm secara berterusan dan dengan sentiasa memberikan kualiti yang boleh dipercayai”. kata Dr Robert Eckstein, Presiden dan Ketua Pegawai Eksekutif SiCrystal, sebuah syarikat kumpulan ROHM.
Semikonduktor kuasa SiC yang cekap tenaga membolehkan elektrifikasi dalam sektor automotif dan perindustrian dengan cara yang lebih mampan. Dengan memudahkan penjanaan, pengedaran dan penyimpanan tenaga yang lebih cekap, SiC menyokong peralihan kepada penyelesaian mobiliti yang lebih bersih, proses perindustrian pelepasan yang lebih rendah dan masa depan tenaga yang lebih hijau, serta bekalan kuasa yang lebih andal untuk infrastruktur intensif sumber seperti pusat data khusus untuk aplikasi AI.