23 de abril de 2024 – ROHM e STMicroelectronics anunciaram recentemente a expansão do contrato de fornecimento de wafers de substrato de carboneto de silício (SiC) plurianual e de longo prazo de longo prazo com a SiCrystal, uma empresa do grupo ROHM. O novo acordo plurianual rege o fornecimento de volumes maiores de wafers de substrato de SiC fabricados em Nuremberg, Alemanha, por um valor mínimo esperado de US$ 150 milhões.
Geoff West, vice-presidente executivo e diretor de compras da STMicroelectronics, comentou: “Este acordo ampliado com a SiCrystal trará volumes adicionais de wafers de substrato SiC de 150 mm para apoiar o aumento da capacidade de fabricação de nossos dispositivos para clientes automotivos e industriais em todo o mundo. Ajuda a fortalecer a resiliência da nossa cadeia de abastecimento para o crescimento futuro, com uma combinação equilibrada de fornecimento interno e comercial em todas as regiões”.
“A SiCrystal é uma empresa do grupo ROHM, uma empresa líder em SiC, e fabrica wafers de substrato de SiC há muitos anos. Estamos muito satisfeitos em estender este acordo de fornecimento com nosso cliente de longa data ST. Continuaremos a apoiar nosso parceiro na expansão dos negócios de SiC, aumentando continuamente as quantidades de wafers de substrato de SiC de 150 mm e sempre fornecendo qualidade confiável”. disse o Dr. Robert Eckstein, presidente e CEO da SiCrystal, uma empresa do grupo ROHM.
Os semicondutores de potência SiC energeticamente eficientes permitem a eletrificação nos setores automóvel e industrial de uma forma mais sustentável. Ao facilitar a geração, distribuição e armazenamento de energia mais eficientes, o SiC apoia a transição para soluções de mobilidade mais limpas, processos industriais com emissões mais baixas e um futuro energético mais verde, bem como fontes de energia mais fiáveis para infraestruturas com utilização intensiva de recursos, como centros de dados dedicados a aplicações de IA.