23 april 2024 - ROHM en STMicroelectronics hebben onlangs de uitbreiding aangekondigd van de bestaande meerjarige, langetermijnleveringsovereenkomst voor 150 mm siliciumcarbide (SiC) substraatwafels met SiCrystal, een bedrijf uit de ROHM-groep. De nieuwe meerjarige overeenkomst regelt de levering van grotere volumes SiC-substraatwafels vervaardigd in Neurenberg, Duitsland, voor een minimale verwachte waarde van $230 miljoen.
Geoff West, EVP en Chief Procurement Officer, STMicroelectronics, merkte op: “Deze uitgebreide overeenkomst met SiCrystal zal extra volumes van 150 mm SiC-substraatwafels opleveren ter ondersteuning van de uitbreiding van de productiecapaciteit van onze apparaten voor automobiel- en industriële klanten wereldwijd. Het helpt de veerkracht van onze toeleveringsketen te versterken voor toekomstige groei, met een evenwichtige mix van intern en commercieel aanbod in de verschillende regio’s.”
“SiCrystal is een groepsmaatschappij van ROHM, een toonaangevend bedrijf op het gebied van SiC, en produceert al vele jaren SiC-substraatwafels. We zijn erg blij om deze leveringsovereenkomst met onze al lang bestaande klant ST. We zullen onze partner blijven ondersteunen bij het uitbreiden van de SiC-activiteiten door de hoeveelheden SiC-substraatwafels van 150 mm continu op te voeren en door altijd betrouwbare kwaliteit te leveren”. zei Dr. Robert Eckstein, president en CEO van SiCrystal, een bedrijf uit de ROHM-groep.
Energie-efficiënte SiC-vermogenshalfgeleiders maken elektrificatie in de automobiel- en industriële sector op een duurzamere manier mogelijk. Door een efficiëntere opwekking, distributie en opslag van energie mogelijk te maken, ondersteunt SiC de transitie naar schonere mobiliteitsoplossingen, industriële processen met lagere emissies en een groenere energietoekomst, evenals betrouwbaardere stroomvoorzieningen voor hulpbronnenintensieve infrastructuur zoals datacenters voor AI-toepassingen.